公开(公告)号：CN118824830A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410475384.6

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 奥西直彦 ,  姜泂模 ,  金南均 ,  南盛植 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

Abstract: 一种等离子体处理装置包括被配置为容纳电极的喷头以及位于喷头上的可变阻抗控制器。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的圆周布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。可变阻抗控制器被配置为：随着第一构件和第二构件之间的至少一个接触点根据第二构件的旋转而改变，通过改变由第一构件和第二构件产生的阻抗来控制阻抗。

公开(公告)号：CN117219485A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310681301.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奂 ,  成德镛 ,  金南均 ,  金珉成 ,  卢泳辰

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理设备包括：工艺室，在其中执行基板处理工艺；静电卡盘，其具有微腔；下电极，其被设置为与静电卡盘的下表面接触；高频电源，其将高频电力施加到下电极；导电支撑件，其被设置为与下电极的下部间隔开并且接地；以及放电抑制器，其位于下电极和导电支撑件之间，具有形成气体供应线的一部分的气体供应流动路径，并且通过三维打印来成型，其中，气体供应流动路径具有在高频电力所形成的电场的方向上具有5mm或更小的长度并且连接放电抑制器的上表面和下表面的空间部分。

公开(公告)号：CN116364513A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211629767.1

申请日：2022-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈厦东 ,  高时永 ,  金南均 ,  李庆旼 ,  林成龙 ,  金成烈 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。

公开(公告)号：CN119725145A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410450941.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉培 ,  李柱昊 ,  姜泂模 ,  金京善 ,  金南均 ,  罗栋铉 ,  南象基 ,  李现宰 ,  郑贤学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。

公开(公告)号：CN117476425A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310559036.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  金宰彬 ,  申明修 ,  韩东锡 ,  金京善 ,  金南均 ,  金宰成 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：晶片支撑固定件，在腔室中，并且被配置为支撑晶片；上电极，在腔室中，并且与晶片支撑固定件间隔开；磁体组件，被配置为将磁场施加到腔室中，磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体，以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。

公开(公告)号：CN116266526A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211347576.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林成龙 ,  姜璨秀 ,  金永焘 ,  金南均 ,  金成烈 ,  南象基 ,  沈承辅 ,  李庆旼

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开自由基诊断系统、诊断装置和诊断装置的操作方法。所述诊断装置可包括光谱仪和同步器，光谱仪通过连接到等离子体处理腔室的至少一个光通道来接收光信号，并且响应于与施加到等离子体处理腔室的多电平脉冲的每个状态对应的同步信号而对所述光信号执行光谱分析，同步器生成与所述多电平脉冲的每个状态对应的同步信号。

公开(公告)号：CN115274390A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210291022.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贵玹 ,  南象基 ,  徐权相 ,  张圣虎 ,  高廷旼 ,  金南均 ,  金泰铉 ,  白承翰 ,  安昇彬 ,  梁正模 ,  李昌宪 ,  全康民

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。