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公开(公告)号：CN117637532A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311062765.3
申请日：2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种晶圆加热设备。所述晶圆加热设备可以包括具有内部空间的加热腔室和设置在加热腔室的内部空间中的加热灯。加热灯可以被构造为对晶圆进行加热。加热灯可以包括多个灯。多个灯中的每个灯可以呈具有开口区域的环形带形状。至少一个灯可以设置在与多个灯的开口区域相邻的区域之中的至少一个区域中。
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公开(公告)号：CN109494157B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN118946144A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410584961.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底的第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构上形成位线结构，在衬底上形成包括非晶硅的初步接触插塞层，在初步接触插塞层上形成反射层结构，从初步接触插塞层形成接触插塞层，并且在接触插塞层上形成电容器。反射层结构可以包括第一反射层和第二反射层。第二反射层的折射率可以大于第一反射层的折射率。第二反射层的位于衬底的第一区和第二区上的部分可以具有不同的厚度。形成接触插塞层的步骤可以包括对反射层结构执行熔融激光退火(MLA)工艺以将初步接触插塞层的非晶硅转换为多晶硅。
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公开(公告)号：CN109494157A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/28132 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78696 , H01L29/7854 , H01L29/0653 , H01L29/66795
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN109003914A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810567895.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4585 , H01L29/0847 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L21/67011
Abstract: 半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
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公开(公告)号：CN109427907B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810985594.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
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公开(公告)号：CN111987143A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010442515.2
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：有源区；隔离区，限定所述有源区；阻挡层，位于所述有源区上；上半导体层，位于所述阻挡层上；以及栅极结构，覆盖所述上半导体层的上表面、下表面和在第一方向上的侧表面。所述第一方向是平行于所述有源区的上表面的方向，并且所述阻挡层布置在所述栅极结构与所述有源区之间。
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公开(公告)号：CN108630580B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810214417.6
申请日：2018-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/44 , C23C16/54
Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。
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公开(公告)号：CN108630580A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810214417.6
申请日：2018-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/44 , C23C16/54
CPC classification number: C30B33/12 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B31/14 , C30B31/16 , H01L21/02057 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L21/67207 , C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/68714
Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。
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