公开(公告)号：CN109585319B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201810992183.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金延泰 ,  金度亨 ,  梁光贤 ,  李昌润 ,  崔宁旭 ,  朴基寿 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。

公开(公告)号：CN106340441B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201610256448.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南振 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  崔殷硕 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。

公开(公告)号：CN119943706A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411470355.7

申请日：2024-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宪勇 ,  金延泰 ,  李璋辉 ,  裵祥佑 ,  李贞彻

IPC: H01L21/67 ,  C30B25/08 ,  C30B25/16 ,  C30B25/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 一种层沉积设备包括：处理室，所述处理室被配置提供用于处理衬底的空间，所述处理室包括限定内部空间的上腔室和下腔室；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述处理室内并且被配置为支撑所述衬底；灯加热部，所述灯加热部在所述处理室外部设置在所述上腔室上方，并且包括被配置为通过所述上腔室将光照射到所述衬底上的多个光源；以及干涉薄层图案，所述干涉薄层图案设置在所述上腔室的上表面上，并且被配置为反射来自所述多个光源的光的至少一部分。

公开(公告)号：CN111326443A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910774444.3

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  朴判贵 ,  李真雅 ,  李昌润 ,  林圣根 ,  崔敏浩 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。

公开(公告)号：CN109585319A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810992183.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金延泰 ,  金度亨 ,  梁光贤 ,  李昌润 ,  崔宁旭 ,  朴基寿 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了检查半导体基底的方法以及制造半导体装置的方法，所述检查半导体基底的方法包括以下步骤：测量在旋转的半导体基底上反射的光的光强度；分析测量的光强度的频率分布；以及通过使用频率分布来确定半导体基底的状态。分析测量的光强度的频率分布的步骤包括从测量的光强度提取分别对应于多个频率的多个频率分量。

公开(公告)号：CN119530772A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410223274.0

申请日：2024-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊昊 ,  韩相喆 ,  金利桓 ,  金延泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50

Abstract: 一种衬垫结构可以包括衬垫和第一块。所述衬垫可以被构造为布置在反应室的内侧壁上，所述反应室被构造为容纳加热器和衬底。所述第一块可以连接到所述衬垫。所述第一块可以包括与所述衬垫的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN106340441A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610256448.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南振 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  崔殷硕 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。