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公开(公告)号：CN111106085A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911010835.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118553624A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311368065.7
申请日：2023-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。
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公开(公告)号：CN118448271A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311473878.2
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 提供了一种制造半导体封装件的方法，所述方法可以包括：提供基底；形成种子层以覆盖基底的顶表面；在种子层上顺序地堆叠牺牲层和光可成像层；形成穿透孔以穿透光可成像层和牺牲层并暴露种子层；在穿透孔中形成导电柱；执行第一工艺以去除牺牲层的至少一部分；执行第二工艺以去除光可成像层；以及图案化或去除种子层。
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公开(公告)号：CN117457508A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310806689.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括：在基板上形成多个导电图案；在基板上方形成光致抗蚀剂膜以覆盖所述多个导电图案；使用光掩模通过光刻工艺由光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案，光掩模包括透明区域、遮光区域和仅透射入射到其上的光的一部分的半透明区域，其中光致抗蚀剂图案包括暴露一个导电图案的通路孔以及具有下表面的凹陷部分，该下表面暴露光致抗蚀剂图案的一部分；在通路孔中形成导电柱；以及通过使用光致抗蚀剂剥离组合物去除光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN110467799A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910370613.7
申请日：2019-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于印刷电路板和集成电路(IC)封装件的树脂组合物以及使用该树脂组合物的绝缘膜和产品。所述树脂组合物包括：包含环氧基的环氧树脂复合物，基于100重量份的环氧树脂复合物，所述环氧树脂复合物包含5至20重量份的双酚A型环氧树脂、30至60重量份的甲酚酚醛清漆环氧树脂、20至35重量份的磷基阻燃环氧树脂以及5至30重量份的橡胶改性环氧树脂；氨基三嗪类硬化剂；硬化促进剂；填料；以及基于100重量份的所述环氧树脂复合物，0.01至5重量份的表面改性剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118471967A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311353917.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/11 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一结构，包括导电图案；第二结构，与第一结构间隔开；柱结构，在第一结构和第二结构之间，并且将第一结构电连接到第二结构；以及半导体芯片，在第一结构和第二结构之间。柱结构包括在导电图案上的内柱和围绕内柱的外柱。外柱与内柱的侧壁和顶表面接触。
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公开(公告)号：CN111106085B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201911010835.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118198008A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311239220.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：第一芯片，其包括第一衬底，第一衬底上的第一布线层和连接至第一布线层并且从第一衬底的下表面突出的穿通电极；双间隙填充层，其覆盖第一芯片的侧表面和下表面和穿通电极的突出部分并且具有双层结构；设置在第一芯片和双间隙填充层上的第二芯片，第二芯片包括第二布线层和第二布线层上的第二衬底，并且第二芯片通过混合接合接合至第一芯片；以及至少一个凸块，其在第一芯片的下表面上并且连接至穿通电极。
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公开(公告)号：CN117894746A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311288102.3
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上形成多层光刻胶；通过对多层光刻胶进行曝光和显影来在该多层光刻胶中形成多个开口；通过在多个开口中形成导电材料来形成多个导电柱；去除多层光刻胶；在第一布线结构上设置半导体芯片；在半导体芯片和多个导电柱上形成密封物；以及在密封物上形成第二布线结构，其中，多层光刻胶包括具有不同透光率的至少两层。
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公开(公告)号：CN111180419B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910650132.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层；包封剂，设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及屏蔽结构，覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括：导电图案层，具有多个开口；第一金属层，覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口；以及第二金属层，覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。
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