公开(公告)号：CN117457508A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310806689.6

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具慈庆 ,  金敃秀 ,  沈智慧 ,  郑曔玉

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/027

Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括：在基板上形成多个导电图案；在基板上方形成光致抗蚀剂膜以覆盖所述多个导电图案；使用光掩模通过光刻工艺由光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案，光掩模包括透明区域、遮光区域和仅透射入射到其上的光的一部分的半透明区域，其中光致抗蚀剂图案包括暴露一个导电图案的通路孔以及具有下表面的凹陷部分，该下表面暴露光致抗蚀剂图案的一部分；在通路孔中形成导电柱；以及通过使用光致抗蚀剂剥离组合物去除光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN117995808A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311455304.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑曔玉 ,  具慈庆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种半导体封装包括：第一再分布基板，包括第一主体层和在第一主体层中的第一布线层；半导体芯片，在第一再分布基板上；贯通柱，在半导体芯片周围并在第一再分布基板上；以及第二再分布基板，在半导体芯片和贯通柱上，其中，第一布线层包括第一钛籽晶层，第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。