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公开(公告)号：CN118510279A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311389008.7
申请日：2023-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种竖直存储器件包括设置在衬底上的存储沟道结构、设置在衬底上的多个划分层、以及栅电极结构。存储沟道结构在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸。划分层分别接触存储沟道结构。栅电极结构接触存储沟道结构的侧壁，该存储沟道结构可以包括填充图案、设置在填充图案的侧壁上的沟道、以及设置在沟道的外侧壁和划分层的侧壁上的电荷存储结构，划分层中每个划分层延伸穿过电荷存储结构的一部分和沟道的一部分。电荷存储结构和沟道中的每一个被划分层划分为两个部分。
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公开(公告)号：CN109768047A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811330978.9
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11556
Abstract: 本发明公开一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：电极结构，包括交替地堆叠在基板上的栅电极和绝缘层；半导体图案，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸并穿过电极结构；隧道绝缘层，设置在半导体图案和电极结构之间；阻挡绝缘层，设置在隧道绝缘层和电极结构之间；以及电荷存储层，设置在阻挡绝缘层和隧道绝缘层之间。电荷存储层包括具有第一能带隙的多个第一电荷捕获层以及具有大于第一能带隙的第二能带隙的第二电荷捕获层。第一电荷捕获层嵌入在栅电极和半导体图案之间的第二电荷捕获层中。
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公开(公告)号：CN108711571A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810281544.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/115 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/092 , G11C11/4085 , G11C11/4097 , H01L21/76229 , H01L21/823878 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L27/0207 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L27/115 , H01L29/0603 , H01L29/0684
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。
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公开(公告)号：CN118693044A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311510464.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768 , H10B41/35 , H10B41/50 , H10B41/41 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底；衬底上的掺杂区，掺杂区包括第一浓度的第一导电类型的杂质；衬底上的栅极结构；以及电连接到掺杂区的第一接触件，第一接触件包括第一部分、第一部分上的第二部分、以及第二部分上的第三部分，第一部分和第二部分包括多晶硅，第三部分包括至少一种金属材料，并且第二部分包括高于第一浓度的第二浓度的第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN108711571B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810281544.8
申请日：2018-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。
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公开(公告)号：CN109037221A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810319527.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11526 , H01L27/11573
Abstract: 一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，高电压晶体管包括第二晶体管，该第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。
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公开(公告)号：CN118695594A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410323716.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及集成电路装置和包括该集成电路装置的电子系统。该集成电路装置包括：衬底，该衬底包括有源区，该有源区包括集成在一起并由器件隔离膜限定的中心有源区、基础有源区和延伸有源区。漏极区位于中心有源区中，源极区分别位于基础有源区中。基础有源区在平面图中相对于中心有源区在不同的对角线方向上彼此间隔开。延伸有源区各自具有L形、连接中心有源区和基础有源区、并且彼此间隔开。栅极结构分别与基础有源区交叉并且在衬底上彼此间隔开。中心有源区、延伸有源区、基础有源区和栅极结构配置传输晶体管，并且传输晶体管共享漏极区。
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公开(公告)号：CN118159025A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311664736.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和电子系统。半导体装置包括：衬底，该衬底包括有源区域和限定有源区域的装置隔离层，有源区域包括在第一方向上延伸的中心有源区域和在垂直于第一方向的第二方向上从中心有源区域的边缘延伸的第一延伸有源区域至第四延伸有源区域；以及在有源区域上并且彼此间隔开的第一栅极结构至第四栅极结构，其中，中心有源区域、第一延伸有源区域至第四延伸有源区域、以及第一栅极结构至第四栅极结构构成第一传输晶体管至第四传输晶体管，第一传输晶体管至第四传输晶体管共享中心有源区域上的一个漏极区域，并且有源区域在平面图中具有H形形状。
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公开(公告)号：CN118139415A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311601446.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元阵列区域和延伸区域；模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底的单元阵列区域上并且以阶梯形状堆叠在衬底的延伸区域上的多个栅电极、以及与多个栅电极交替地堆叠的多个模制绝缘膜；多个沟道结构，其位于衬底的单元阵列区域上，其中，多个沟道结构中的每一个延伸穿过模制结构并且与多个栅电极交叉；多个单元接触件，其位于衬底的延伸区域上并且分别连接到多个栅电极；第一层间绝缘膜，其位于模制结构上，以便覆盖多个沟道结构和多个单元接触件。
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