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公开(公告)号：CN118139415A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311601446.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元阵列区域和延伸区域；模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底的单元阵列区域上并且以阶梯形状堆叠在衬底的延伸区域上的多个栅电极、以及与多个栅电极交替地堆叠的多个模制绝缘膜；多个沟道结构，其位于衬底的单元阵列区域上，其中，多个沟道结构中的每一个延伸穿过模制结构并且与多个栅电极交叉；多个单元接触件，其位于衬底的延伸区域上并且分别连接到多个栅电极；第一层间绝缘膜，其位于模制结构上，以便覆盖多个沟道结构和多个单元接触件。
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公开(公告)号：CN118677592A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311501604.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有同态加密功能的装置和方法。一种用于执行同态加密操作的方法可以包括：基于用第一秘密密钥加密的关于第一模数的同态加密的第一密文，通过执行密钥切换操作来生成用第二秘密密钥加密的具有第二总维数的第二密文，该密钥切换操作使用密钥切换密钥来生成第二密文，其中第一密文具有第一总维数；以及通过基于第二密文和操作密钥执行盲旋转操作，来生成关于第二模数的密文。
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公开(公告)号：CN118139416A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311603921.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置和一种电子系统。该半导体存储器装置包括：衬底；模制结构，其包括按照台阶形状堆叠的栅电极以及模制绝缘层；沟道结构，其在衬底上，与栅电极交叉并且穿过模制结构；单元接触件，其连接至栅电极；第一层间绝缘层，其在模制结构上并且覆盖沟道结构和单元接触件；第一金属图案，其连接至沟道结构，第一金属图案的上表面与第一层间绝缘层的上表面共面；第二金属图案，其连接至单元接触件，第二金属图案的上表面与第一金属图案的上表面共面；第一阻挡层，其沿着第一层间绝缘层的上表面、第一金属图案和第二金属图案延伸；以及第一虚设穿通件，其穿过第一阻挡层。
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公开(公告)号：CN117857004A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311147039.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有同态加密操作的装置，包括：一个或多个处理器，被配置为：基于盲旋转操作的输出密文的多项式的阶数和盲旋转操作的操作数密文的模数，通过预处理盲旋转操作的操作数密文的向量分量，生成修改的向量；基于用于执行盲旋转操作的公共密钥和修改的向量，通过执行盲旋转操作来生成同态加密操作结果。
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