公开(公告)号：CN118693044A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311510464.2

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金玟炅 ,  金鹤善 ,  金成吉 ,  朴主美 ,  尹康五 ,  李东镇 ,  李素贤 ,  林浚熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底；衬底上的掺杂区，掺杂区包括第一浓度的第一导电类型的杂质；衬底上的栅极结构；以及电连接到掺杂区的第一接触件，第一接触件包括第一部分、第一部分上的第二部分、以及第二部分上的第三部分，第一部分和第二部分包括多晶硅，第三部分包括至少一种金属材料，并且第二部分包括高于第一浓度的第二浓度的第一导电类型的杂质。