公开(公告)号：CN109216147B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201810696992.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  崔明善 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  郑相旻 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。

公开(公告)号：CN109216147A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810696992.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  崔明善 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  郑相旻 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32697

Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。

公开(公告)号：CN109087842A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810600372.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  姜南俊 ,  罗世权 ,  禹济宪 ,  林承奎 ,  任志洙

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备和一种用于利用其制造半导体装置的方法。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕卡盘台的外围，电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制电介质环的介电常数。

公开(公告)号：CN109037096A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810542950.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  姜南俊 ,  金应秀 ,  沈承辅 ,  李相昊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘、等离子体处理装置以及制造半导体器件的方法。静电吸盘包括：吸盘基座，包括第一孔；第一板，位于所述吸盘基座上，其中所述第一板包括位于所述第一孔上的第二孔；第一套管，位于所述第一孔中；以及多孔区块，位于所述第一套管中，其中所述第一套管接触所述第一板且邻近所述多孔区块设置。

公开(公告)号：CN107039263B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201710064379.6

申请日：2017-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴皓用 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  赵贞贤 ,  崔明善

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。

公开(公告)号：CN107039263A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710064379.6

申请日：2017-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴皓用 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  赵贞贤 ,  崔明善

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/90 ,  H01J37/32137

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。