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公开(公告)号：CN109087842A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810600372.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈承辅 , 姜南俊 , 罗世权 , 禹济宪 , 林承奎 , 任志洙
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体处理设备和一种用于利用其制造半导体装置的方法。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕卡盘台的外围，电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制电介质环的介电常数。
