公开(公告)号：CN109689655A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055919.2

申请日：2017-09-11

Applicant: 默克专利有限公司

Inventor： 阿米尔·帕勒姆 ,  托比亚斯·格罗斯曼 ,  奥雷莉·吕德曼 ,  多米尼克·约斯滕 ,  乔纳斯·克罗巴

IPC: C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07D491/14 ,  C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  C07D498/14 ,  C07D513/14 ,  H01L51/00 ,  H05B33/20

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07D491/14 ,  C07D491/147 ,  C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  C07D498/14 ,  C07D513/14 ,  C09K11/025 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5076 ,  H01L2251/5384 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及被电子传输基团取代的咔唑衍生物，其特别是用于电子器件中。本发明还涉及用于制备根据本发明的化合物的方法，和包含所述化合物的电子器件。

公开(公告)号：CN108807186A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810619732.7

申请日：2018-06-15

Applicant: 中国科学院理化技术研究所

Inventor： 李倩 ,  刘静

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0508 ,  H01L2251/30

Abstract: 本发明实施例提供一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，该方法包括在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接液态金属源极和液态金属漏极的半导体层；在半导体层上制作介电层，并在介电层上制作液态金属栅极。本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。

公开(公告)号：CN108699073A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013794.7

申请日：2017-02-27

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： J-C·弗洛里斯 ,  P·哈约兹 ,  I·麦卡洛克 ,  N·翁伍比克 ,  D·克尔布莱因 ,  岳晚 ,  陈宏扬 ,  A-C·克纳尔

IPC: C07D487/04 ,  G03G5/06

CPC classification number: C07D487/04 ,  C08G2261/3223 ,  C09B57/00 ,  C09B57/004 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0508

Abstract: 本发明涉及式(I)化合物以及含有至少式(II)结构的聚合物，其中T1或T2互相独立地是式(III)、式(iv)基团，Qa、Qb、Qc、Qd、Qe或Qf互相独立地是O、S或NR1。e＝O，＝S，＝NR1a，＝CR4R4’，(III)

公开(公告)号：CN105073902B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480009240.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： D·T·格里科 ,  M·格里兹波斯基

IPC: C09B57/00 ,  H01L51/00 ,  H01L29/772 ,  C09B69/00 ,  C09B69/10 ,  C07D471/22 ,  C07D491/22 ,  C07D495/22

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D471/22 ,  C07D487/04 ,  C07D487/22 ,  C07D491/22 ,  C07D495/22 ,  C07D517/22 ,  C07D519/00 ,  C08G69/00 ,  C08G69/42 ,  C09B57/004 ,  C09B69/008 ,  C09B69/109 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  G01N33/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及可用作具有独特结构和性能的杂环染料的新型化合物。这些化合物可在三步合成中由简单底物获得。本发明化合物在有机溶剂中溶解性极好并且成膜特性优良。另外，当本发明化合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可观察到高能量转换效率、优良场效应迁移率、良好开/关电流比和/或优良稳定性。

公开(公告)号：CN107698743A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710896869.2

申请日：2017-09-28

Applicant: 中国科学院化学研究所 ,  北京科技大学

Inventor： 于贵 ,  林祖樟 ,  张卫锋 ,  刘晓彤 ,  王丽萍

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508

Abstract: 本发明公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外-可见-近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm2V-1s-1，开关比大于104；在PFET器件中有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN107360720A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201680017582.1

申请日：2016-03-23

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 滨田雅裕 ,  品村祥司 ,  贞光雄一

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/46 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形)。

公开(公告)号：CN107195781A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710372261.X

申请日：2017-05-24

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陆旭兵 ,  韦尉尧 ,  刘俊明

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0003

Abstract: 本发明涉及一种基于PMMA掺杂小分子的高迁移率晶体管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备C8‑BTBT与PMMA混合溶液；S2：衬底清洗：选取含二氧化硅的P型重掺硅片，裁剪后对其进行清洗；S3：制备C8‑BTBT有源层和PMMA修饰层：在衬底上用滴管铺满由步骤S1配置得到的C8‑BTBT与PMMA混合溶液，在2000～3000rpm的转速下旋涂40s；S4：对旋涂好的薄膜进行热处理；S5：制备氧化钼缓冲层；S6：制备源漏电极。该制备方法简单、制得的有源层表面缺陷少，制得的晶体管器件性能得到提高。本发明还提供一种采用上述制备方法制备而成的晶体管，其迁移率可达到10.40cm2/(V·S)，开关比大，开态电流大，性能较现有技术有了显著的提升。

公开(公告)号：CN107057042A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611174364.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 张仕明 ,  刘福川 ,  于思淼 ,  虞坚炜

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC classification number: Y02E10/549 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种含硫羰基的共轭齐聚物及聚合物的合成方法及其应用，以及涉及该含硫羰基的共轭齐聚物及聚合物作为活性层材料在有机光电子器件如聚合物太阳能电池、有机场效应晶体管和有机发光二极管中的应用；本发明合成的含硫羰基的共轭齐聚物及聚合物溶液加工性好，易溶于氯仿、四氢呋喃和氯苯等有机溶剂；同时热稳定性好，起始热分解温度超过300℃，且为黑色，吸光性好，光吸收范围覆盖300～1000nm，带隙较窄。

公开(公告)号：CN106977705A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710244321.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 中国科学院上海有机化学研究所

Inventor： 高希珂 ,  赵学千 ,  葛从伍

IPC: C08G61/12 ,  C07D495/22 ,  C07D487/04 ,  C07F7/08 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  C08G61/126 ,  C07D487/04 ,  C07D495/22 ,  C07F7/0812 ,  C07F7/083 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/93 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种二噻吩并酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用。本发明公开的二噻吩并酰二亚胺衍生物基于1,2,5,6‑萘酰亚胺(1,2,5,6‑NDI)的新型π分子骨架二噻吩并[3,2‑a:3’,2’‑j][5,6,11,12]酰二亚胺(DTCDI)，通过N‑烷基链增加溶解性可实现溶液加工，苯并噻吩稠合增加分子的共轭程度，增加分子间的相互作用可提高迁移率，其中四氰基取代衍生物作为OFET的活性层显示了优异的器件性能，氮气下测得其电子迁移率达0.25cm2V‑1s‑1以上。

公开(公告)号：CN106941109A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610004054.4

申请日：2016-01-04

Applicant: 上海和辉光电有限公司

Inventor： 牟鑫

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板，该OLED显示面板包括：透明衬底，所述透明衬底包括像素区和非像素区，所述透明衬底的像素区之上设置有有机薄膜晶体管和堆叠于有机薄膜晶体管之上的有机发光模组；本发明还公开了该OLED显示面板的制备方法，通过利用所包括的复数层膜层中至少部分为透明有机膜层的有机薄膜晶体管驱动OLED，从而进一步提高显示面板的透过率。