公开(公告)号：CN108054098A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711367271.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种带有场板的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，由GaN外延片为原材料，其中所述的制造工艺为：在衬底上低温生长氮化镓作为缓冲层，在缓冲层上进行HEMT结构生长，首先生成数微米厚度的高温GaN外延层，再在GaN外延层上生长AlXGa1‑XN薄层，AlGaN和GaN界面GaN一侧会形成二维电子气（2DEG），2DEG是HEMT器件的导电层；优点为：本发明有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。

公开(公告)号：CN107895740A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711364203.9

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02107 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供一种带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺，其中由GaN外延片为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极制作；以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层，钝化层厚度高于S、D电极的高度；定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层，露出钝化层；优点为：本发明有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。

公开(公告)号：CN107863429A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711365930.7

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种GaN外延片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为：提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

公开(公告)号：CN107808900A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201711365926.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种GaN-HEMT芯片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间，S、D、G极通过金属沉淀的方式固定于氮化镓铝层顶部；优点为：本发明有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。

公开(公告)号：CN207517720U

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201721770011.3

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型提供一种GaN外延片，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为：提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207517699U

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201721771011.5

申请日：2017-12-18

Applicant: 山东聚芯光电科技有限公司

Inventor： 闫稳玉 ,  吴伟东 ,  张薇葭 ,  王占伟 ,  刘双昭 ,  王旭东 ,  赵利

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本实用新型提供一种GaN-HEMT芯片，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间，S、D、G极通过金属沉淀的方式固定于氮化镓铝层顶部；优点为：本实用新型有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利