公开(公告)号：CN105990416A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510043096.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 李镇宇 ,  邹安杰 ,  郭浩中 ,  张俊彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明提供一种高速晶体管，包括衬底、形成于该衬底上方的超晶格结构以及形成于该超晶格结构上的外延层。该高速晶体管使用具有碳掺杂的氮化铝/氮化镓的超晶格结构作为外延层与衬底之间的结构，而能有效减少垂直漏电流，进而能够提升外延品质及高速晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN104979448B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201410394673.X

申请日：2014-08-12

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 李佳佑 ,  林大为 ,  邹安杰 ,  郭浩中

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明揭示一种发光二极管组件，包含:硅基板、缓冲层、超晶格结构层、纳米结构层、第一半导体层、发光层及第二半导体层，其中缓冲层设置在硅基板上、超晶格结构层设置在缓冲层上、奈米结构层设置在超晶格结构层上、第一半导体层设置在奈米结构层上以及发光层设置在第一半导体层及第二半导体层之间，藉由超晶格结构层及奈米结构层可以有效的释放发光二极管组件的应力以及降低磊晶缺陷，并且可以提高内部量子效率以及外部量子效率。

公开(公告)号：CN104979448A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410394673.X

申请日：2014-08-12

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 李佳佑 ,  林大为 ,  邹安杰 ,  郭浩中

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明揭示一种发光二极管组件，包含：硅基板、缓冲层、超晶格结构层、纳米结构层、第一半导体层、发光层及第二半导体层，其中缓冲层设置在硅基板上、超晶格结构层设置在缓冲层上、奈米结构层设置在超晶格结构层上、第一半导体层设置在奈米结构层上以及发光层设置在第一半导体层及第二半导体层之间，藉由超晶格结构层及奈米结构层可以有效的释放发光二极管组件的应力以及降低磊晶缺陷，并且可以提高内部量子效率以及外部量子效率。