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公开(公告)号：CN110085723B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910188129.2
申请日：2015-03-02
Applicant: 阿尔发得株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能以简单的构造将多芯片封装体中的多个发光元件间连接的发光单元及半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置具有：多个发光元件，分别具有两个外部端子；及树脂层，一体地支持多个发光元件。多个发光元件包含沿第一方向排列的n个发光元件。n个发光元件的(2×n)个外部端子沿第一方向排列。(2×n)个外部端子中，第一方向的一端的外部端子与第一垫接合，第一方向的另一端的外部端子与第二垫接合，一端的外部端子与另一端的外部端子之间的外部端子与第三垫接合。
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公开(公告)号：CN109075225B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201780016088.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 阿尔发得株式会社
IPC: H01L33/22
Abstract: 实施方式的半导体发光元件具有积层体。所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层。所述积层体在上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部。所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少。所述第1突出部具有第1部分及第2部分。所述第1部分具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面。所述第2部分设置在所述第1部分之下，且具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面。所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。
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公开(公告)号：CN104916755B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201410454200.4
申请日：2014-09-05
Applicant: 阿尔发得株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据实施方式，提供一种包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、第二半导体发光元件的发光装置。第一透光部设在基板上为透光性。树脂体设在基板与第一透光部之间为光反射性，包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分与第一透光部相接。第二部分在与从基板朝向第一透光部的第一方向交叉的第二方向与第一部分隔开，与第一透光部相接。第三部分在第二方向与第一部分及第二部分隔开，设置在第一部分与第二部分之间，与第一透光部相接。第一半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第一部分与第三部分之间。第二半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第二部分与第三部分之间。
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公开(公告)号：CN105990495B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510093436.4
申请日：2015-03-02
Applicant: 阿尔发得株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能以简单的构造将多芯片封装体中的多个发光元件间连接的发光单元及半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置具有：多个发光元件，分别具有两个外部端子；及树脂层，一体地支持多个发光元件。多个发光元件包含沿第一方向排列的n个发光元件。n个发光元件的(2×n)个外部端子沿第一方向排列。(2×n)个外部端子中，第一方向的一端的外部端子与第一垫接合，第一方向的另一端的外部端子与第二垫接合，一端的外部端子与另一端的外部端子之间的外部端子与第三垫接合。
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公开(公告)号：CN108807358A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810687787.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 阿尔发得株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/62
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/36 , H01L33/62
Abstract: 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047782B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201510349167.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 阿尔发得株式会社
Abstract: 本发明涉及在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置。特别是，本发明公开了一种利用光学透明或半透明导电层来提高整体光输出的发光二极管(“LED”)。该设备包括第一导电层、活性层、第二导电层、光学透明或半透明导电层和电极。在一个实施方式中，光学透明或半透明导电层具有第一表面和第二表面，其中，第一表面覆盖第二导电层。第二表面包括包含厚区域和用于促进光穿过的薄区域的图案。
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公开(公告)号：CN106257698B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201610137734.3
申请日：2016-03-10
Applicant: 阿尔发得株式会社
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹陷部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
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公开(公告)号：CN110518103B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910525848.9
申请日：2016-03-09
Applicant: 阿尔发得株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。
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公开(公告)号：CN108807358B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810687787.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 阿尔发得株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/62
Abstract: 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
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公开(公告)号：CN105990476B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610016212.8
申请日：2016-01-11
Applicant: 阿尔发得株式会社
Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
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