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公开(公告)号：CN111955811B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010896308.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A41D13/00 , A41D13/002 , A61L2/10 , A61L2/24 , A61L9/20
Abstract: 提供了一种防护服。所述防护服包括：针对使用者的可穿戴的衣服，所述可穿戴的衣服由能够经受紫外辐射的材料制成；空气输入管和空气输出管；紫外杀菌组件，合并在所述可穿戴的衣服中并且连接到空气输入管，其中，紫外杀菌组件包括：入口，来自周围环境的空气进入入口；过滤单元和紫外杀菌源，过滤单元包括用于去除周围环境空气的颗粒的空气过滤单元；其中，紫外杀菌源被构造为在空气移动穿过紫外杀菌组件时，对空气进行灭菌，并且其中，紫外杀菌组件还包括导光结构，所述导光结构发射扩散的紫外光。
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公开(公告)号：CN115315820A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022569.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种光学损失减少的异质结构。该异质结构包括：一组n型层；有源区，所述有源区生成峰值发射波长处的辐射；以及一组p型层，所述一组p型层与所述有源区相邻地定位。反射结构可以与所述一组p型层相邻地定位。所述一组p型层的厚度可以被配置为促进在朝向所述一组n型层的方向上的反射辐射与由有源区发射的辐射的相长干涉。
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公开(公告)号：CN104838509B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201380055363.9
申请日：2013-10-22
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于封装诸如发光二极管的双端子装置的解决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及在至少一个双端子装置每个周围切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极以及至第二接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN105518878B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN107073145A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049300.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A61L2/10
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2/00 , A61L2/088 , A61L9/00 , A61L2209/11 , F21V7/0091 , G02B6/00 , G02B6/0003 , G02B6/0051 , G02B6/006
Abstract: 提供了一种漫射照明器。所述漫射照明器包括一组光源和包括多个层的导光结构。层中的至少一些层可由含氟聚合物形成，至少一个层可由透明流体形成。导光结构还包括漫射光通过其射出的发射表面。导光结构还可包括与所述多个层中的至少一层相关的漫射元件。每个漫射元件可使光漫射到朗伯分布的40％之内。漫射元件可基于在与待照射表面相对应的目标距离处的漫射光的期望的均匀性来布置。漫射照明器可发射紫外光，并且可实现为杀菌系统的一部分。
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公开(公告)号：CN104736261B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380053723.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/21 , F25D17/042 , F25D27/005 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。位于该区域中的物品和/或该区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调整由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调整可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置中之一，每种操作配置可以包括对应的目标波长范围和/或目标强度范围。
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公开(公告)号：CN106449910A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610656173.8
申请日：2016-08-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有铁磁域的光电半导体装置。描述了具有一个或多个铁磁域的光电半导体装置和用于处理具有(一个或多个)铁磁域的(一个或多个)光电半导体装置的方法。在一个实施例中，光电半导体装置可以包括半导体结构，半导体结构具有衬底、形成在衬底之上的n型接触层、形成在n型接触层之上的有源层以及形成在有源层之上的p型接触层；以及位于半导体结构上的至少一个铁磁域。用于处理的方法可以包括将(一个或多个)光电半导体装置移动和/或组装为系统。
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公开(公告)号：CN106165126A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015794.1
申请日：2015-02-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , G06F17/505 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
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公开(公告)号：CN105590999A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610127836.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 提供深紫外发光二极管，该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
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