公开(公告)号：CN105826448B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201610097076.X

申请日：2010-07-19

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： K.魏德纳 ,  R ,  韦尔特 ,  A.卡尔滕巴歇 ,  W.维格莱特 ,  B.巴希曼 ,  O.武茨 ,  J.马费尔德

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 说明一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤：‑提供载体（1）；‑将至少一个光电子半导体芯片（2）布置在载体（1）的上侧（1a）；‑用模塑体（3）改造至少一个光电子半导体芯片（2），其中模塑体（3）覆盖至少一个光电子半导体芯片（2）的所有侧面（2c）并且其中至少一个半导体芯片（2）的上侧（2a）处的背向载体（1）的表面和/或底侧（2b）处的朝向载体的表面保持未被模塑体（3）覆盖或者被暴露；‑去除载体（1）。

公开(公告)号：CN103517964B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201280022046.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： G·瓦根布拉斯特 ,  M·克内曼 ,  S·伊娃诺维茨 ,  G·德 ,  凯泽 ,  R·森德

IPC: H01L33/56 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/50 ,  H01L31/055 ,  C09K11/06 ,  G02B5/20

CPC classification number: H01L31/02322 ,  C09K11/06 ,  F21V9/30 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/048 ,  H01L31/055 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31935

Abstract: 一种颜色转换器，其包括至少一个包含至少一种有机荧光着色剂的层和至少一个具有低氧渗透率的阻隔层。

公开(公告)号：CN107527930A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710446677.1

申请日：2017-06-14

Applicant: 优显科技股份有限公司

Inventor： 陈显德

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L25/167 ,  G06K9/0004 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/173 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/36 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L27/156

Abstract: 本发明公开一种光电半导体装置。光电半导体装置包括磊晶基材以及多个微尺寸光电半导体元件。这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于磊晶基材的表面，各微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米。

公开(公告)号：CN105679841B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610031368.3

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

公开(公告)号：CN107112398A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072572.3

申请日：2015-12-23

Applicant: 康宁精密素材株式会社

Inventor： 李起渊 ,  吴润锡 ,  李庚珍 ,  杨春逢 ,  曹瑞英

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  C09K11/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091 ,  H05B33/20 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/95 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明涉及一种量子点复合物和一种包括该量子点复合物的光电器件，更具体地，涉及一种具有优异的光学特性从而改善光电器件的光效率的量子点复合物和一种包括该量子点复合物的光电器件。为此，本发明提供了一种量子点复合物和一种包括该量子点复合物的光电器件，该量子点复合物包括：基体层；多个量子点，分散在基体层内部；多个散射颗粒，以设置在多个量子点之间的方式分散在基体层内部，其中，散射颗粒具有形成在其中的中空，从而呈现多个折射率。

公开(公告)号：CN103443652B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280014657.2

申请日：2012-03-19

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： R·P·卢赫塔 ,  R·A·马特森

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/2985 ,  H01L31/02322

Abstract: 一种方法，包括：获得具有两个相对的主表面的光电传感器基底（236）。所述两个相对的主表面中的一个主表面包括由至少一个光电传感器元件（232，234）构成的至少一个光电传感器行230），并且所获得的光电传感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法还包括将闪烁体阵列（310）光学耦合至所述光电传感器基底。所述闪烁体阵列包括由至少一个互补闪烁体元件（226，228）构成的至少一个互补闪烁体行224），并且所述至少一个互补闪烁体行光学耦合至所述至少一个光电传感器行（230）且所述至少一个互补闪烁体元件光学耦合至所述至少一个光电传感器元件。所述方法还包括对光学耦合至所述闪烁体的所述光电传感器基底进行减薄，产生光学耦合至所述闪烁体并且厚度在小于一百微米的量级的减薄的光电传感器基底。

公开(公告)号：CN105988152A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610149721.8

申请日：2016-03-16

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝医疗系统株式会社

Inventor： 长谷川仁 ,  村井诚一郎 ,  横井朋美

IPC: G02B5/08 ,  G02B1/02 ,  G01T1/202 ,  H01L31/0232

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G02B1/04 ,  G02B5/0891 ,  C08L83/04 ,  C08L27/18 ,  G02B5/08 ,  G01T1/202 ,  G02B1/02 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02325

Abstract: 根据实施方式，提供一种反射材、闪烁体阵列、闪烁体阵列的制造方法和放射线检测器。根据一个实施方式，提供一种所述闪烁体阵列，其含有：隔着间隙而二维排列的多个闪烁体晶体、以及形成于多个闪烁体晶体间的间隙的反射材。反射材含有：选自由硫酸钡、氧化铝和聚四氟乙烯构成的组中的反射粒子、以及作为粘合剂的普通硅酮。

公开(公告)号：CN105957915A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610326036.8

申请日：2016-05-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 胡治朋 ,  张渊 ,  刘芬 ,  薛亚莉

IPC: H01L31/055 ,  H02S10/30

CPC classification number: Y02E10/52 ,  H01L31/02322 ,  H02S10/30

Abstract: 本发明公开了一种耐高温的太阳能光谱选择性吸收与辐射结构，包括吸收器和辐射器，所述吸收器和辐射器采用的材料均为耐高温的金属材料；所述吸收器用于选择性吸收入射的太阳光，包括按六角密堆积结构排布的金属纳米三角形颗粒阵列和第一平整金属基底，所述金属纳米三角形颗粒阵列构建于第一平整金属基底的顶面；所述辐射器用于选择性辐射出与太阳能电池禁带宽度相匹配的光子，包括金属纳米方块阵列和第二平整金属基底，所述金属纳米方块阵列构建于第二平整金属基底的底面；所述第一平整金属基底的底面构建于第二平整金属基底的顶面。本发明实现了对太阳光能谱的有效调制，突破了传统太阳能电池对太阳光的利用效率理论极限。

公开(公告)号：CN104220249B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380016250.8

申请日：2013-03-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/048 ,  H05B33/04

CPC classification number: G02F1/1339 ,  B32B15/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2439/40 ,  B32B2439/60 ,  C04B35/565 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  C23C28/44 ,  G02F2201/501 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/049 ,  H01L31/055 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明的层叠膜气体阻隔性具备基材及形成于基材的至少1个面的薄膜层，薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示薄膜层的膜厚方向上的自薄膜层表面起的距离与距离的位置的薄膜层中所含的硅原子比、氧原子比及碳原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有以下条件(i)～(iii)：(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在薄膜层膜厚方向上的90％以上的区域中，满足下式(1)表示的条件(氧原子比)＞(硅原子比)＞(碳原子比)……(1)；(ii)碳分布曲线具有至少1个极值；(iii)碳分布曲线中的碳原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at％以上，并且，根据碳分布曲线求出的碳原子比的平均值为11at％以上21at％以下，薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。

公开(公告)号：CN102017167B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN200980115256.4

申请日：2009-04-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·马蒂尼 ,  B·阿克曼 ,  M·萨尔斯布里 ,  H-H·贝希特尔 ,  M·海德曼

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/147 ,  H05B33/0869

Abstract: 本发明涉及一种包括光敏元件(101)和布置于光敏元件前面的波长转换体(103)的光检测器，该波长转换体被配置成将第一波长的光转换成第二波长的光并且将第二波长的光引向光敏元件。第二波长取决于光敏元件的光敏响应具有改进特性时所在的波长。优点在于可以提供在整个可见光谱内的稳定读取。