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公开(公告)号：CN109563638A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047846.2
申请日：2017-06-26
Applicant: 原子能和替代能源委员会 , 艾利迪公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于三维半导体元件(31)的外延生长的成核结构(10)，所述成核结构(10)包含：衬底(11)，其包含形成生长表面(13)的单晶材料；多个中间部分(14)，其由从所述生长表面(13)外延生长的中间晶体材料制成并限定中间部分上表面(15)；多个成核部分(16)，其由包含形成晶体成核材料的过渡金属的材料制成，每个成核部分从中间部分上表面(15)外延并限定适用于三维半导体元件的外延生长的成核表面(17)。
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公开(公告)号：CN109563638B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201780047846.2
申请日：2017-06-26
Applicant: 原子能和替代能源委员会 , 艾利迪公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于三维半导体元件(31)的外延生长的成核结构(10)，所述成核结构(10)包含：衬底(11)，其包含形成生长表面(13)的单晶材料；多个中间部分(14)，其由从所述生长表面(13)外延生长的中间晶体材料制成并限定中间部分上表面(15)；多个成核部分(16)，其由包含形成晶体成核材料的过渡金属的材料制成，每个成核部分从中间部分上表面(15)外延并限定适用于三维半导体元件的外延生长的成核表面(17)。
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公开(公告)号：CN109417084B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780040945.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 艾利迪公司 , 原子能和替代能源委员会
Abstract: 本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：‑包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；‑形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；‑覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；‑多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；‑形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。
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公开(公告)号：CN109417084A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040945.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 艾利迪公司 , 原子能和替代能源委员会
CPC classification number: H01L33/007 , H01L27/1446 , H01L27/156 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/03044 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：-包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；-形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；-覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；-多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；-形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。
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