公开(公告)号：CN106409964A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201611019083.4

申请日：2016-11-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所

Inventor： 喻松林 ,  刘铭 ,  张永哲 ,  孙浩 ,  吴卿 ,  周立庆

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L21/02406 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02656 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明公开了一种红外探测材料及其制备方法。本发明的红外探测材料，包括红外光吸收层和电荷传输载体层；所述电荷传输载体层布设在所述红外光吸收层上；其中，所述电荷传输载体层由石墨烯材料制备得到。本发明实施例利用石墨烯材料作为光生载流子的输运层提升响应速率和探测器灵敏度，可适应新一代武器装备和电子系统发展对红外探测器的需求，解决提高探测距离、拓展探测频段、提升探测精度等武器装备性能发展瓶颈问题。

公开(公告)号：CN106373871A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201611059590.0

申请日：2016-11-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 王敬 ,  孙川川 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02551 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述过渡层以及所述半导体层分别独立地由II-VI族化合物形成。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免II-VI族化合物晶片尺寸对绝缘体上半导体结构的尺寸造成限制。

公开(公告)号：CN106340440A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510458017.6

申请日：2015-07-30

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 李世平 ,  陈昱安 ,  黄绣雯 ,  张娟华

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/208 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02669 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开一种半导体元件的制造方法，包括下列步骤。提供基底，基底包括隔离区和元件区。对基底进行全面性预非晶化处理以形成非晶化区，其中非晶化区的深度全面性地深于隔离区及元件区的至少一者的深度，且非晶化区涵盖隔离区及元件区的至少一者。对非晶化区进行热处理。

公开(公告)号：CN104934318A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510309592.X

申请日：2015-06-08

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 钮应喜 ,  杨霏

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02656

Abstract: 本发明提供一种N型低缺陷碳化硅外延片的制备方法，包括步骤：衬底的准备、在线刻蚀衬底、缓冲层的生长和外延层的生长，其中外延层的生长采用了“生长、刻蚀、吹拂、再生长”的方法。该方法有效地降低了基面位错密度，减少腔体内沉积物，降低了碳化硅外延片表面的缺陷密度，提高了碳化硅外延材料的质量；且其适合范围广，加工成本低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN104882363A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510092233.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 糸永将司 ,  渡边圣之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/67017

Abstract: 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整，第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整，以使气相部的温度高于上述液相部的温度。

公开(公告)号：CN102473791A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035324.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 大津元一 ,  川添忠 ,  八井崇 ,  行武壮太郎

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C14/3435 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02656 ,  H01L51/4213 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种受光元件的制作方法，不需进行材料的选定，即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件。该制作方法包括沉积工序，在对构成P型半导体(14)、N型半导体(13)、各个电极(12、15)中任意一方的材料施加反向偏置电压的同时，照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，该沉积工序包括：非绝热流程，在沉积的材料表面中形成有能够借助照射光而产生近场光的局部形状(54)的部位，通过基于近场光的非绝热过程对期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该电子消除该局部形状(54)中基于反向偏置电压的局部电场；粒子吸附流程，在没有形成局部形状(54)的部位，使在产生了基于反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附粒子(51)，结果在形成有局部形状(54)的情况下向非绝热流程转移。

公开(公告)号：CN102379024A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014869.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)，其具有第一表面(F1)和第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有第二正面(F2)和第二侧面。所述第二侧面被设置成使得在所述第一和第二侧面之间形成间隙，该间隙具有在所述第一和第二碳化硅衬底(11，12)的第一和第二正面(F1，F2)之间的开口。在所述开口上方提供用于封闭所述间隙的封闭部(70)。将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部(70)之上，形成用于连接所述第一和第二侧面的连接部(BDa)以便封闭所述开口。在形成所述连接部(BDa)的步骤之后，去除所述封闭部(70)。

公开(公告)号：CN101414553B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810165776.3

申请日：2008-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/761 ,  H01L21/764 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片及其制造方法。以往超结结构晶片的制造方法需要沿半导体晶片的厚度方向多阶段地形成外延层的工序和离子注入工序，工序数量多。pn接合面呈波形，耗尽层难以均匀扩展。在利用倾斜离子注入形成一部分柱状半导体层的方法中，为了使杂质分布在晶片垂直方向上均匀，需要向沟槽下方也注入，存在无效区域增多的问题。本发明在半导体衬底上至少交替进行三次以上n型外延层的形成和蚀刻以及p型外延层的形成和蚀刻，从而用外延层形成所有半导体层。能将各半导体层的宽度形成得较窄，故在要求的耐压相同时，可提高各半导体层的杂质浓度，降低晶片的电阻值。通过最后在残留的空间部中埋入绝缘层，能避免在外延层的接合面产生不良。

公开(公告)号：CN103219361B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310013795.5

申请日：2013-01-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边幸宗

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165

Abstract: 本发明提供能够形成结晶缺陷少的高品质的单晶碳化硅膜且能够抑制晶片的翘曲的半导体基板及其制造方法。半导体基板包括：硅基板(11)；形成在硅基板(11)的表面上的单晶碳化硅膜(13)；形成在硅基板(11)的形成有单晶碳化硅膜(13)的一侧的相反侧的面上且对该面施加压缩应力而缓和硅基板(11)的应力的应力缓和膜(15)，在单晶碳化硅膜(13)的硅基板(11)一侧的部分，沿该单晶碳化硅膜(13)与硅基板(11)之间的界面存在有多个空隙(14)。

公开(公告)号：CN102388435B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。