公开(公告)号：CN111490047A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910110946.6

申请日：2019-02-12

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 黄彬杰 ,  林晓珮 ,  李世平

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明公开一种内存结构，其包括第一晶体管、第二晶体管与电容器。第一晶体管包括第一栅极与位于第一栅极的两侧的第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区在第一方向上排列。第二晶体管包括第二栅极与位于第二栅极的两侧的第三掺杂区与第四掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区位于第一栅极与第二栅极之间。第二掺杂区与第三掺杂区在第二方向上排列。第二方向与第一方向相交。电容器耦接至第二掺杂区与第三掺杂区。

公开(公告)号：CN111435659A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201910096167.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 车行远 ,  李世平

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种存储器结构，其包括绝缘层覆硅基底、第一晶体管、第二晶体管、隔离结构以及电容器。绝缘层覆硅基底包括硅基体以及依序设置于硅基体上的介电层与硅层。第一晶体管与第二晶体管设置于硅层上。隔离结构设置于第一晶体管与第二晶体管之间的硅层中。电容器设置于第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括主体部分、第一延伸部分、第二延伸部分以及第三延伸部分。第一延伸部分自主体部分延伸至与第一晶体管的源极/漏极区。第二延伸部分自主体部分延伸至与第二晶体管的源极/漏极区。第三延伸部分自主体部分延伸穿过隔离结构至介电层中。

公开(公告)号：CN111261706A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811557539.1

申请日：2018-12-19

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 刘振强 ,  许正源 ,  宋达

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。

公开(公告)号：CN111047026A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910216548.2

申请日：2019-03-21

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 黄崇仁 ,  葛永年

IPC: G06N3/063

Abstract: 本发明提出一种可执行人工智能运算的存储器芯片及其操作方法。存储器芯片包括存储器阵列、存储器控制器以及人工智能引擎。存储器阵列包括多个存储器区域。所述多个存储器区域用以储存数字化输入数据以及权重数据。存储器控制器经由专属于人工智能引擎的总线来耦接至存储器阵列。人工智能引擎经由存储器控制器以及总线来存取存储器阵列，以取得数字化输入数据以及权重数据。人工智能引擎依据数字化输入数据以及权重数据来执行神经网络运算。

公开(公告)号：CN111009529A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201811220344.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 王俊扬 ,  廖宏魁 ,  刘振强 ,  何政宇

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构的制造方法包括：在基底内形成瓶状沟槽，其中所述瓶状沟槽具有邻接所述基底表面的颈部与连接所述颈部的瓶身部，所述颈部的宽度小于所述瓶身部的宽度；进行第一离子注入制作工艺，以于所述瓶身部的底部的所述基底内形成源极区；在所述瓶状沟槽的内表面形成电荷存储层；在所述瓶状沟槽内形成瓶状栅极；以及进行第二离子注入制作工艺，以于所述颈部旁的所述基底内形成漏极区。

公开(公告)号：CN110875339A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201811066356.X

申请日：2018-09-13

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 李世平 ,  黄彬杰 ,  洪瑞宏 ,  叶益诚 ,  杨承翰 ,  黄文澔

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开一种影像传感器及其制造方法，该影像传感器包括基底、感光元件、存储节点、埋入式栅极结构与第一遮光层。感光元件设置在基底中。存储节点设置在基底中。存储节点与感光元件彼此分离。埋入式栅极结构包括埋入式栅极与第一介电层。埋入式栅极设置在基底中，且至少覆盖部分存储节点。第一介电层设置在埋入式栅极与基底之间。第一遮光层设置在埋入式栅极上，且位于存储节点上方。第一遮光层电连接至埋入式栅极。

公开(公告)号：CN105843181B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510021681.4

申请日：2015-01-16

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 杨咏智 ,  李启志 ,  郑毅

IPC: G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 本发明公开一种曝光机台对准光源装置内的模块作动监控方法及监控系统，该模块作动监控方法包括下列步骤。提供一对准光源装置。对准光源装置包括至少一模块。通过非接触式位置量测法量测模块的绝对偏移值。判断此绝对偏移值是否超过容许范围。当所量测的绝对偏移值超过容许范围时，产生一异常信号。

公开(公告)号：CN106158890B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201510202825.6

申请日：2015-04-27

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 廖吉庆 ,  赖宏岱 ,  车行远 ,  詹上毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明公开一种影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主动阵列区以及一周边电路区；多个感光元件，设于该主动阵列区内的该半导体基底中；一第一介电层，位于该半导体基底上，覆盖该主动阵列区以及该周边电路区；以及一第二介电层，位于该第一介电层上，其中该第二介电层中具有一凹陷区域对应于该主动阵列区，显露出该第一介电层的上表面，且由该第二介电层的一侧壁所定义出来的该凹陷区域的周围与该第一介电层的该上表面具有一夹角，其中该夹角小于90度。

公开(公告)号：CN106158008B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510469273.5

申请日：2015-08-04

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 木原雄治

IPC: G11C11/4063

Abstract: 一种半导体存储装置。该半导体存储装置是具有多个存储单元的多值DRAM，多个存储单元各自具备连接至字线的选择晶体管、及经由选择晶体管连接至位线且存储多值的第1蓄电电容器。半导体存储装置具备对应多个位线而设置的包含第2蓄电电容器的多个采样保持电路；对应多个位线而设置在各采样保持电路的后段的经由各采样保持电路从各存储单元将数据读出并转换成数字值的多个单斜率型AD转换器；以及为了刷新各存储单元将对应数字值的电压施加于各存储单元，且将对应写入数据的数字值的电压施加在各存储单元的存储器控制器。

公开(公告)号：CN109696798A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201711069037.X

申请日：2017-11-03

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 王宏祺 ,  杨盛华

IPC: G03F1/42 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开一种光掩模及光掩模承载平台的维护方法，该光掩模可置放于曝光装置中的光掩模承载平台上，此光掩模包括一基板以及一反射结构。基板包括一主表面与至少一侧壁，且主表面与侧壁相接，其中主表面包括一图案区以及一周边区，周边区设置于图案区的一外侧。反射结构至少设置于侧壁表面或设置于主表面的周边区。