-
公开(公告)号：CN102077294B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980124528.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 罗伊·E·朔伊尔莱因 , 卢卡·G·法索利 , 颜天鸿
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C13/0026 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71
Abstract: 一种存储系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个具有可逆电阻切换元件的存储器单元的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于限制可逆电阻切换元件的设置电流的电路。用于限制设置电流的电路在一个或者更多个位线上提供电荷，该电荷不足以设置存储器单元，然后通过存储器单元使位线放电，以设置存储器单元。
-
公开(公告)号：CN101189679B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200680006301.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C11/21 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481
Abstract: 通过将所有未选择的存储单元保持在反向偏置的状态中来将具有包括二极管和相变材料的存储单元的存储阵列可靠地编程。因此，泄漏较低，且高度地确保不干扰未选择的存储单元。为了避免在依序写入期间干扰未选择的存储单元，在选择新位线和字线之前使先前所选择的字线和位线变至其未选择的电压。经改进的电流镜结构控制所述相变材料的状态切换。
-
公开(公告)号：CN101627437B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780050936.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 严天宏 , 卢卡·G·法索利 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 本发明揭示一种可逆极性解码器电路，其尤其适合于实施多头解码器结构，例如，可用于对字线进行解码，且尤其可用于3D存储器阵列中。所述解码器电路将过驱动电压偏压提供到半选定字线驱动器电路的栅极以将半选定字线稳固地维持在非有效电平。如果在击穿电压下或接近所述击穿电压偏置所述存储器阵列，则此过驱动电压可大于解码器晶体管的击穿电压。然而，在所描述的实施例中，对于所述解码器电路的任一操作极性而言，所述解码器电路在不在所述解码器晶体管中的任一者上外加大于所述击穿电压的电压的情况下实现此目的。
-
公开(公告)号：CN101208751B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200580042742.X
申请日：2005-11-29
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 肯尼斯·K·苏 , 卢卡·G·法索利 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C5/06
CPC classification number: G11C5/063 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677
Abstract: 本发明公开一种设备，包括：多个字线和字线驱动器、多个位线和位线驱动器、以及耦合在各自的字线和位线之间的多个存储单元。该设备还包括一种电路，所述电路基于存储单元相对于字线驱动器和位线驱动器之一或二者的位置而选择写入和/或读取条件以应用于存储单元。该设备还包括一种电路，所述电路基于存储单元相对于字线和/或位线驱动器的位置而选择多个将被并行编程的存储单元。
-
公开(公告)号：CN101506897A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031596.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 罗伊·E·朔伊尔莱因 , 卢卡·G·法索利
Abstract: 本发明描述用于对可编程且在一些实施例中可重写的无源元件存储器单元的示范性存储器阵列进行解码的电路和方法，所述电路和方法尤其对具有一个以上存储器平面的极为密集的三维存储器阵列有用。另外，本发明描述用于选择此存储器阵列的一个或一个以上阵列区块、用于选择选定阵列区块内的一个或一个以上字线和位线、用于向选定阵列区块内的选定存储器单元传递数据信息和从其传递数据信息以及用于向未选定阵列区块传递未选定偏置条件的电路和方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101208751A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200580042742.X
申请日：2005-11-29
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 肯尼斯·K·苏 , 卢卡·G·法索利 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C5/06
CPC classification number: G11C5/063 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677
Abstract: 本发明公开一种设备，包括：多个字线和字线驱动器、多个位线和位线驱动器、以及耦合在各自的字线和位线之间的多个存储单元。该设备还包括一种电路，所述电路基于存储单元相对于字线驱动器和位线驱动器之一或二者的位置而选择写入和/或读取条件以应用于存储单元。该设备还包括一种电路，所述电路基于存储单元相对于字线和/或位线驱动器的位置而选择多个将被并行编程的存储单元。
-
公开(公告)号：CN101512663B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200780033061.6
申请日：2007-07-31
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 罗伊·E·朔伊尔莱因 , 泰勒·J·索普 , 卢卡·G·法索利
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G11C11/56 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/77
Abstract: 一种四级无源元件单元具有对应于逐渐降低的电阻级的存储器状态，所述存储器状态优选地被分别映射到数据状态11、01、00及10。优选地将LSB及MSB映射为不同页的部分。为在存储器单元状态之间进行区分，针对参考电流级与读取偏压的至少两个不同组合感测选定位线电流。使用中级参考来读取所述LSB。当读取所述MSB时，可使用所述10与00数据状态之间的第一参考及01与11数据状态之间的第二参考，而不需要使用所述中级参考。在某些实施例中，可同时对照所述第一及第二参考来比较所述位线电流，而不需要延迟以将所述位线电流稳定到不同的值，且相应地产生所述MSB。
-
公开(公告)号：CN101627437A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780050936.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 严天宏 , 卢卡·G·法索利 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 本发明揭示一种可逆极性解码器电路，其尤其适合于实施多头解码器结构，例如，可用于对字线进行解码，且尤其可用于3D存储器阵列中。所述解码器电路将过驱动电压偏压提供到半选定字线驱动器电路的栅极以将半选定字线稳固地维持在非有效电平。如果在击穿电压下或接近所述击穿电压偏置所述存储器阵列，则此过驱动电压可大于解码器晶体管的击穿电压。然而，在所描述的实施例中，对于所述解码器电路的任一操作极性而言，所述解码器电路在不在所述解码器晶体管中的任一者上外加大于所述击穿电压的电压的情况下实现此目的。
-
公开(公告)号：CN101506898A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031665.7
申请日：2007-07-31
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 卢卡·G·法索利 , 克里斯托弗·J·佩蒂 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C8/14
Abstract: 本发明描述用于对可编程且在一些实施例中可重写的无源元件存储器单元的示范性存储器阵列进行解码的电路和方法，所述电路和方法尤其对具有一个以上存储器平面的极为密集的三维存储器阵列有用。另外，本发明描述用于选择此存储器阵列的一个或一个以上阵列区块、用于选择选定阵列区块内的一个或一个以上字线和位线、用于向选定阵列区块内的选定存储器单元传递数据信息和从其传递数据信息以及用于向未选定阵列区块传递未选定偏置条件的电路和方法。
-
公开(公告)号：CN101151512A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680009938.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： 克里斯托弗·J·佩蒂 , 罗伊·E·朔伊尔莱因 , 坦迈·库马尔 , 阿比希吉特·班迪奥帕迪亚
IPC: G01J1/12
CPC classification number: G11C8/14 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C8/08 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 一种多头字线驱动器电路并入有弯曲栅极晶体管以减小原本针对介接到紧密间距阵列线可实现的间距。在某些示范性实施例中，三维存储器阵列包含多个存储器区块以及水平横跨至少一个存储器区块的阵列线。垂直活性区域条设置在第一存储器区块下方，且各自多个弯曲栅极电极与每一各自活性区域条相交以界定个别源极/漏极区。源极/漏极区每隔一个地耦合到用于所述活性区域条的偏压节点，且其余源极/漏极区分别耦合到与所述第一存储器区块相关联的各自阵列线，借此形成用于所述各自阵列线的各自第一驱动器晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.034 seconds)
