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公开(公告)号：CN103943115A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410022347.6
申请日：2014-01-17
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/11
CPC classification number: G11B5/115 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
Abstract: 本申请公开了一种写极箱屏蔽结构。一种磁性元件可通常配置为至少构造有在箱屏蔽结构之中的写极，箱屏蔽结构由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。
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公开(公告)号：CN104050986B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410086587.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
Abstract: 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。
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公开(公告)号：CN103514892B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310242104.9
申请日：2013-06-18
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T428/1186
Abstract: 本文中公开的一种写入磁极结构包括写入磁极层、包含倾斜表面的底层、以及写入磁极层与底层之间的覆盖层，其中该覆盖层由具有比写入磁极层的硬度小的硬度的材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104050977A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410088312.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/332 , G11B5/6082 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
Abstract: 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN103943115B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410022347.6
申请日：2014-01-17
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/11
CPC classification number: G11B5/115 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
Abstract: 本申请公开了一种写极箱屏蔽结构。一种磁性元件可通常配置为至少构造有在箱屏蔽结构之中的写极，箱屏蔽结构由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。
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公开(公告)号：CN103514892A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310242104.9
申请日：2013-06-18
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T428/1186
Abstract: 本发明中公开的一种写入磁极结构包括写入磁极层、包含倾斜表面的底层、以及写入磁极层与底层之间的覆盖层，其中该覆盖层由具有比写入磁极层的硬度小的硬度的材料制成。
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公开(公告)号：CN104050977B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410088312.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/332 , G11B5/6082 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
Abstract: 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN104050986A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086587.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
Abstract: 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。
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