公开(公告)号：CN104252869A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410294168.8

申请日：2014-06-26

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 田伟 ,  H·殷 ,  Y·董 ,  J·M·芒德纳 ,  J·薛

IPC: G11B5/60

CPC classification number: G11B5/23 ,  G11B5/232 ,  G11B5/3116

Abstract: 本发明涉及用于磁记录头的写间隙结构。在所示实施例中，写间隙结构包括沿斜角柱尖表面的顶部边缘和底部边缘之间的斜角柱尖表面的多个写间隙分段，以提供与气垫面邻接的窄的写间隙以及气垫面后面的更大的写间隙。在所示实施例中，窄的写间隙分段形成在斜角柱尖表面和前端护罩的下部后表面之间，更大的写间隙形成在斜角柱尖表面和前端护罩的上部后表面之间。

公开(公告)号：CN104252869B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410294168.8

申请日：2014-06-26

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 田伟 ,  H·殷 ,  Y·董 ,  J·M·芒德纳 ,  J·薛

IPC: G11B5/60

CPC classification number: G11B5/23 ,  G11B5/232 ,  G11B5/3116

Abstract: 本发明涉及用于磁记录头的写间隙结构。在所示实施例中，写间隙结构包括沿斜角柱尖表面的顶部边缘和底部边缘之间的斜角柱尖表面的多个写间隙分段，以提供与气垫面邻接的窄的写间隙以及气垫面后面的更大的写间隙。在所示实施例中，窄的写间隙分段形成在斜角柱尖表面和前端护罩的下部后表面之间，更大的写间隙形成在斜角柱尖表面和前端护罩的上部后表面之间。