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公开(公告)号：CN108486658A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810149630.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 一种提高半绝缘磷化铟单晶电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将半绝缘磷化铟单晶放入该石英管内，并放入一定量的高纯铁粉和红磷；对装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管进行抽真空，然后封口；将装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管放入高温炉内，在磷化铁气氛下高温退火。本发明提供的这种提高半绝缘InP单晶片电阻率均匀性的方法，提高了半绝缘InP晶片的质量和电阻的均匀性，半绝缘InP晶片具有更好地电学性质，更有利于光电子器件的应用。
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公开(公告)号：CN107756232A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711104560.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 一种晶片研磨装置，包括：抛光盘，通过第一转轴与第一电机连接，由第一电机驱动抛光盘转动；一个或多个抛光头，其中每个抛光头具有以下结构：抛光头为连接在第二转轴末端的可上下移动的圆盘，所述抛光头的端面与抛光盘的端面相对，在抛光头的端面上安装有一个或多个晶片；抛光垫，具有弹性的抛光垫平铺粘贴在抛光盘的端面上，其中，抛光盘与抛光头挤压研磨的区域沿径向向内侧逐渐凸起；其中，所述抛光头挤压抛光盘上的抛光垫，配合抛光药液对晶片进行化学机械抛光。本发明的晶片研磨装置，能够保证晶片承受压力均匀，可以有效避免晶片边缘的塌边现象，提高晶片表面平整度，提高了晶片的优良率。
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公开(公告)号：CN106367812A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610920976.X
申请日：2016-10-21
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚，属于半导体芯片单晶制备技术领域。所述石墨坩埚包括：石墨坩埚本体、石墨坩埚盖和石墨槽，石墨槽空心，无底面，套在石墨坩埚本体内，高度低于石墨坩埚本体的高度，厚度小于所述石墨坩埚本体的壁面厚度，材质与石墨坩埚本体的材质相同。碳化硅籽晶固定于石墨坩埚盖上，碳化硅粉源放置于石墨槽内以及石墨坩埚本体与石墨槽之间。在生长单晶时，石墨坩埚本体和石墨槽在交变磁场中同时发热，使石墨坩埚中心以及石墨坩埚本体与石墨槽之间同时产生大量反应气氛，避免出现明显的冷热分区，提高碳化硅粉源径向温度的均匀性，从而提高碳化硅粉源的使用效率和单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN108456928A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810149707.7
申请日：2018-02-13
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法，包括以下步骤：对高铁浓度半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与高铁浓度半绝缘磷化铟单晶尺寸匹配的石英管，并清洗待用；将高铁浓度半绝缘磷化铟单晶和高纯铁粉放入所述石英管内；对所述石英管抽真空并封口；将所述石英管放入高温炉内进行铁扩散掺杂。本发明提供的这种Fe高温热扩散的方法，使得进入铁浓度较高的半绝缘InP晶体的Fe以替位方式占据In位，具有极高的激活效率，避免了杂质分布产生的结构缺陷，并抑制了位错与掺入的Fe原子的相互作用，降低了半绝缘InP单晶片中Fe的浓度，解决了半绝缘InP单晶中掺Fe浓度过高的问题，获得了电学性能较好的半绝缘单晶材料。
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公开(公告)号：CN107910246A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711104612.5
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/677 , H01L21/02002 , H01L21/67 , H01L21/67739
Abstract: 本发明提供一种用于磷化铟晶片的下盘方法，用于取下抛光后固定在陶瓷盘上的磷化铟晶片，包括：在加热槽中倒入除蜡剂，加热至蜡熔点温度，保持温度恒定；将抛光后固定在一起的磷化铟晶片和陶瓷盘放入上述已经经过加热的除蜡剂中，恒温加热第一设定时间；将磷化铟晶片从除蜡剂中取出，放置于盛有有机溶剂或除蜡剂的容器，待进一步对晶片进行化学清洗。上述下盘方法下盘同时起到对晶片和陶瓷盘去蜡清洗的作用，简化了后续对晶片和陶瓷盘的去蜡步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106553276A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610921174.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具，属于晶体加工装置领域。所述定向夹具包括：旋转滑台，固定连接在切割工作台上，设置有旋转角度调整旋钮；水平角度调节器，安装于旋转滑台上表面，设置有水平角度调节旋钮；支撑架，设置有支撑架底座，支撑架底座固定连接在水平角度调节器上表面，且在支撑架底座上表面固定连接有直线滑轨；压紧块，固定连接在直线滑轨的滑块上表面，可跟随滑块滑动。本发明以偏0°的圆柱形晶棒为基础，通过调节水平角度调节器的角度，可斜切2°至4°偏角度衬底；通过调节旋转滑台相对于垂直面的角度，可斜切4°至8°偏角度衬底；且精度可达到±1′。
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公开(公告)号：CN106381524A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610921172.1
申请日：2016-10-21
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置，包括贯穿炉体内外的观察通道，观察通道出口处设置有观察窗，还包括进气管道，向观察通道通入惰性气体；一圈小进气孔，沿内层管壁间隔地并与通道轴线垂直地设置，形成一密闭气障，阻碍上升的挥发物接近观察窗玻璃表面；扫气管道，相对于观察通道轴线倾斜成一定角度，扫气管道出口与所述观察窗相对，且扫气管道出口在所述一圈小进气孔的上方，所述扫气管道通入惰性气体，可及时吹扫掉气障未阻挡住的挥发物遇观察窗凝结的细颗粒状磷。本发明形成进气通道和扫气通道两路气体通道，从而有效解决磷蒸气注入原位合成法的直拉InP单晶炉上方观察窗的摭蔽问题，而且本发明结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN107829142A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711105499.2
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除InP晶片微缺陷的方法，包括：将InP晶片放入石英管内，在石英管内放入红磷；对装有InP晶片和红磷的石英管进行封泡；对封泡后的石英管进行抽真空，采用氢氧焰烧结封口；将封口后的石英管放入退火炉内退火。上述消除InP晶片微缺陷的方法，在P气氛下退火改变其化学配比状况，调节缺陷、杂质状态和晶体特性，降低微缺陷密度，提高晶片质量。
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公开(公告)号：CN107723802A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711104614.4
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单晶片的腐蚀方法包括以下步骤：S1将磷化铟单晶片放入浓硫酸中腐蚀；S2用去离子水冲洗磷化铟单晶片；S3将磷化铟单晶片放入稀盐酸中腐蚀；S4重复所述步骤S2；S5将磷化铟单晶片放入王水中腐蚀；S6重复所述步骤S2；S7晾干。本发明采用酸性腐蚀方式对切、磨后的磷化铟单晶片进行腐蚀处理，有效地去除了单晶片表面的损伤层及应力层，且可获得洁净的单晶片表面，满足后续加工要求。
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公开(公告)号：CN107675262A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711105483.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法，包括以下步骤：S1选用掺铁磷化铟单晶片；S2将所述掺铁磷化铟单晶片以及红磷间隔放入石英管中；S3将所述石英管抽真空并封闭；S4将封闭的石英管放入退火炉中退火。本发明通过对掺铁磷化铟单晶片进行退火处理，有效去除磷化铟单晶材料中的杂质聚集，降低复合体缺陷，克服掺铁磷化铟晶体材料掺铁浓度高、均匀性和稳定性差等缺点，有效提高铁的激活效率，提高材料电阻率，从而提高掺铁磷化铟单晶材料的半绝缘性和稳定性。
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