公开(公告)号：CN107937984A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711104557.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 段满龙 ,  董志远 ,  赵有文 ,  杨俊

IPC: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

Abstract: 一种磷化铟的合成方法及其合成装置，将放置在密封管内的存放铟的第一容器和存放磷的第二容器初始均放置在磷压控制区内，磷压控制区的温度大于或等于磷的汽化温度并低于磷化铟的熔点，利用磷压控制区的温度来融化并预热铟并使得磷汽化，在密封管的移动方向上，第一容器位于第二容器前方；密封管从磷压控制区向反应区移动，反应区的温度大于或等于磷化铟的熔点，在反应区内，磷蒸汽熔解到铟熔体中，形成磷化铟熔体；密封管从反应区向多晶冷却区移动，多晶冷却区的温度低于反应区的温度，磷化铟熔体在多晶冷却区冷却为磷化铟多晶。本发明利用磷压控制区存放液态铟，有效避免高温铟与石英坩埚壁反应导致的Si污染问题，InP多晶产品纯度更高。

公开(公告)号：CN107829141A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711105481.2

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 赵有文 ,  董志远 ,  杨俊 ,  段满龙

IPC: C30B29/40 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B35/007

Abstract: 本发明公开了一种富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，包括：第一步，对富铟InP多晶分选、切出富铟较轻和严重InP多晶；第二步，对富铟较轻InP多晶化学腐蚀、清洗及烘干；第三步，拉制InP多晶棒；第四步，第一电学检测，分拣出第一电学参数合格InP多晶和不合格InP多晶；将合格InP多晶进行第五步储存；第六步，将第一步富铟严重InP多晶和第四步的不合格InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；第七步，水平合成；第八步，第二电学检测、分拣出第二电学参数合格和不合格InP多晶，合格InP多晶进行第五步，不合格的InP多晶积攒，积攒后循环以上操作。该方法有效循环利用富铟多晶料，得到高化学配比度、高纯InP多晶，避免了磷化铟单晶原料浪费，降低生产成本。

公开(公告)号：CN107756232A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201711104560.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 赵有文 ,  刘京明 ,  段满龙 ,  董志远 ,  刘刚

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12

CPC classification number: B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12

Abstract: 一种晶片研磨装置，包括：抛光盘，通过第一转轴与第一电机连接，由第一电机驱动抛光盘转动；一个或多个抛光头，其中每个抛光头具有以下结构：抛光头为连接在第二转轴末端的可上下移动的圆盘，所述抛光头的端面与抛光盘的端面相对，在抛光头的端面上安装有一个或多个晶片；抛光垫，具有弹性的抛光垫平铺粘贴在抛光盘的端面上，其中，抛光盘与抛光头挤压研磨的区域沿径向向内侧逐渐凸起；其中，所述抛光头挤压抛光盘上的抛光垫，配合抛光药液对晶片进行化学机械抛光。本发明的晶片研磨装置，能够保证晶片承受压力均匀，可以有效避免晶片边缘的塌边现象，提高晶片表面平整度，提高了晶片的优良率。

公开(公告)号：CN107829142A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711105499.2

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 赵有文 ,  段满龙 ,  卢伟 ,  谢辉

IPC: C30B29/40 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种消除InP晶片微缺陷的方法，包括：将InP晶片放入石英管内，在石英管内放入红磷；对装有InP晶片和红磷的石英管进行封泡；对封泡后的石英管进行抽真空，采用氢氧焰烧结封口；将封口后的石英管放入退火炉内退火。上述消除InP晶片微缺陷的方法，在P气氛下退火改变其化学配比状况，调节缺陷、杂质状态和晶体特性，降低微缺陷密度，提高晶片质量。

公开(公告)号：CN107723802A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711104614.4

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 刘京明 ,  杨凤云 ,  王凤华 ,  段满龙

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单晶片的腐蚀方法包括以下步骤：S1将磷化铟单晶片放入浓硫酸中腐蚀；S2用去离子水冲洗磷化铟单晶片；S3将磷化铟单晶片放入稀盐酸中腐蚀；S4重复所述步骤S2；S5将磷化铟单晶片放入王水中腐蚀；S6重复所述步骤S2；S7晾干。本发明采用酸性腐蚀方式对切、磨后的磷化铟单晶片进行腐蚀处理，有效地去除了单晶片表面的损伤层及应力层，且可获得洁净的单晶片表面，满足后续加工要求。

公开(公告)号：CN107675262A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201711105483.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 段满龙 ,  赵有文 ,  杨俊 ,  卢伟

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法，包括以下步骤：S1选用掺铁磷化铟单晶片；S2将所述掺铁磷化铟单晶片以及红磷间隔放入石英管中；S3将所述石英管抽真空并封闭；S4将封闭的石英管放入退火炉中退火。本发明通过对掺铁磷化铟单晶片进行退火处理，有效去除磷化铟单晶材料中的杂质聚集，降低复合体缺陷，克服掺铁磷化铟晶体材料掺铁浓度高、均匀性和稳定性差等缺点，有效提高铁的激活效率，提高材料电阻率，从而提高掺铁磷化铟单晶材料的半绝缘性和稳定性。