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公开(公告)号：CN109252215B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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公开(公告)号：CN112299421A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010673757.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器与设置在所述金属电极的螺合部之间被设为非导通。此外，本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器通过固定机构部被固定于所述金属电极，并且所述电极适配器与所述固定机构部之间被设为非导通。
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公开(公告)号：CN103958406B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN116902985A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310422830.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒，通过西门子法制造，其长度方向上的长度大于等于1米，其棒体侧面长度方向的残留应力的压缩应力与拉伸应力之差的绝对值小于等于22Mpa。
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公开(公告)号：CN111455461A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010025708.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103958406A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN111560650A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010079430.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种通过西门子法制造多晶硅的装置，其具备芯线保持器(14)，其中，芯线保持器(14)的下端侧与向芯线保持器(14)通电的电极部(10)的顶部(18)接触，进一步，设置有固定部(17)，其从芯线保持器(14)的下端侧向下方延伸，用于将芯线保持器(14)固定至电极部(10)，其中，固定部(17)的下端部构成螺纹连接部(17a)，该螺纹连接部(17a)位于芯线保持器(14)与电极部(10)的顶部接触的表面的下方。芯线保持器(14)的下端侧与电极部(10)的顶部(18)接触的表面的电阻被设计成低于紧固螺纹连接部(17a)的部位的电阻。通过该装置能够提供一种避免电极的损坏或硅棒的污染的技术。
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公开(公告)号：CN111153407A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010051606.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0-SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN109252215A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B35/007 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B28/14
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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公开(公告)号：CN106573784A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044611.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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