公开(公告)号：CN105264124A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380077075.3

申请日：2013-05-31

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 须藤俊明 ,  北原贤 ,  相场秋广 ,  奥州谷和司 ,  吉田文枝 ,  旭冈真喜子 ,  北原江梨子 ,  佐藤忠广

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。

公开(公告)号：CN105308435A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201380077573.8

申请日：2013-06-30

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 须藤俊明 ,  佐藤忠广 ,  北原贤 ,  旭冈真喜子

IPC: G01N21/17 ,  C03B20/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C03B1/00 ,  C03B19/095 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  G01N15/088 ,  G01N21/55 ,  G01N2015/0015 ,  G01N2015/0096 ,  G01N2033/0091 ,  G02B21/008 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种适合于单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用石英玻璃坩埚(vitreous silica crucible)中的无气泡层(bubble layer)的形成的石英粉的评估方法，其具有：测量石英粉的石英粒子间的间隙率的工序、将所述石英粉熔融的工序、测量将熔融石英粉冷却固化而得的石英玻璃块的气泡含有率(bubble content rate)的工序、以及根据所述石英粉的间隙率和所述石英玻璃块的气泡含有率来判定是否是合适的石英粉的工序。

公开(公告)号：CN105264124B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201380077075.3

申请日：2013-05-31

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 须藤俊明 ,  北原贤 ,  相场秋广 ,  奥州谷和司 ,  吉田文枝 ,  旭冈真喜子 ,  北原江梨子 ,  佐藤忠广

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。