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公开(公告)号：CN119768571A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061084.7
申请日：2023-08-03
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明的目的在于提供一种单晶硅提拉用石英玻璃坩埚，其能通过在晶体提拉工序中的加热而在内表面形成均一且薄的晶体层。石英玻璃坩埚(1)具备：包含二氧化硅玻璃的坩埚基体(10)及形成在坩埚基体(10)的内表面(10i)的含有结晶化促进剂的涂布膜(13)。自坩埚基体(10)的内表面(10i)至少0.5mm以下的第1深度区域中所含的Fe浓度比该第1深度区域中所含的Al浓度高。
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公开(公告)号：CN111334852B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911316941.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供可防止在单晶硅中发生位错的同时制造低氧的单晶的石英玻璃坩埚。石英玻璃坩埚(1)具备：由含有气泡的合成石英熔融玻璃构成、且构成石英玻璃坩埚(1)的内面的密封层(11)；由不含气泡的合成石英熔融玻璃构成、且形成于密封层(11)的外侧的合成透明层(12)；由不含气泡的天然石英熔融玻璃构成、且形成于合成透明层(12)的外侧的天然透明层(13)；以及由含有气泡的天然石英熔融玻璃构成、且形成于天然透明层(13)的外侧的天然气泡层(14)，其中，密封层(11)的气泡含量高于合成透明层(12)。
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公开(公告)号：CN105378156B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201380077568.7
申请日：2013-06-30
Applicant: 胜高股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述脊部与脊部的平均间隔为5～100μm。
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公开(公告)号：CN105264124A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380077075.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。
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公开(公告)号：CN112243493B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980033232.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够准确地测定石英坩埚的透过率的测定方法及测定装置。其解决方案为，从配置在石英坩埚的一个壁面（1Wa）侧的光源（5），向石英坩埚的规定测定点照射平行光，在石英坩埚的另一个壁面（1Wb）侧的以另一个壁面（1Wb）上的平行光的出射点P为中心的同心圆（C０）上的多个位置配置检测器（6），并在多个位置测定石英坩埚的透射光的受光水准，根据在多个位置测定的透射光的多个受光水准，求出在规定测定点下的石英坩埚的透过率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117295851A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034177.6
申请日：2022-02-09
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/10
Abstract: 提供可降低单晶硅的碳污染及针孔产生率的石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅的制造方法。本发明的石英玻璃坩埚1具备包含二氧化硅玻璃的坩埚基体10及形成于坩埚基体10的内表面10i的含有结晶化促进剂的涂布膜13。涂布膜13及坩埚基体10的距内表面10i的深度为0μm以上且300μm以下的范围内的平均碳浓度为1.0×1012原子/cc以上且3.0×1019原子/cc以下。
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公开(公告)号：CN113557326B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980086234.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够提拉氧浓度低、且提拉轴方向的氧浓度分布稳定的单晶硅的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有：圆筒状侧壁部(10a)、底部(10b)、以及连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：由不含气泡的石英玻璃构成的透明层(11)、由含多个气泡的石英玻璃构成且设置于透明层(11)外侧的气泡层(12)。角部(10c)的壁厚最大位置处的红外线透射率与侧壁部(10a)的红外线透射率之比为0.3以上且0.99以下，从底部(10b)中心朝侧壁部(10a)上端的沿坩埚壁面的高度方向的红外线透射率的变化率绝对值为3％/cm以下。
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公开(公告)号：CN110820040A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910725841.1
申请日：2019-08-07
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: [课题]目的在于，提供一种石英玻璃坩埚，其能够防止因石英玻璃坩埚的大型化而产生的向直体部的内侧的倾倒、变形，进一步在具有特性不同的多个层的石英玻璃坩埚中，防止在这些层直接接触的交界部因密度差而产生的剥离；以及所述石英玻璃坩埚的制造方法。[解决手段]硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其特征在于，在具有直体部和底部的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在直体部上部密度低，在底部密度高。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其具有直体部和底部，在包含多层的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在外层与内层接触的交界部处，各自的层的密度差为0.0014g/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105849320A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071168.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 胜高股份有限公司
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: [课题]提供抑制高温下的变形的石英玻璃坩埚及其制造方法。[解決手段]石英玻璃坩埚1具有：圆筒状的直筒部10a、在直筒部10a的下端形成的角部10c、和隔着角部10c与直筒部10a连接的底部10b。另外，石英玻璃坩埚1具备：构成外层的内包气泡的不透明层11、和构成内层的除去了气泡的透明层12。至少直筒部10a中的不透明层11与透明层12的边界面在上下方向上形成周期的波面。
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