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公开(公告)号：CN109154101B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201780031978.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。
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公开(公告)号：CN104024491A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280063749.X
申请日：2012-05-15
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B15/005 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , C30B35/002
Abstract: 提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚8的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
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公开(公告)号：CN103237930A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056597.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
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公开(公告)号：CN101319350A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810108276.6
申请日：2008-06-05
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： 大久保正道
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/305 , C30B29/06
Abstract: 本发明的目的是提供可以稳定地抽拉完全没有位错、并具有良好晶体形状的单晶的单晶制造方法，其包括驱动晶体驱动装置14使晶种30浸在硅熔体3中，和将晶体驱动装置14和坩埚驱动装置15控制在预定条件下以进行抽拉晶种的步骤。在该抽拉步骤中，驱动水平磁场装置16将磁场以水平方向施加到坩埚4中硅熔体3的内部。水平磁场装置16将所施加磁场的磁场中心线1固定在离硅熔体3的液面3a的不变位置上。更具体地，通过水平磁场位置调整装置19预先在垂直方向进行水平磁场装置16的位置调整，使所施加磁场的磁场轴1固定在低于硅熔体3的液面3a多于50mm，并且等于或高于收尾时离残留硅熔体液面深度L的不变距离的位置上。
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公开(公告)号：CN109154101A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031978.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103237930B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201180056597.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
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公开(公告)号：CN102108549B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010621535.2
申请日：2010-12-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/203 , H01L21/3225
Abstract: 本发明提供由具有优异的氧化物薄膜GOI特性及高C型合格率的硅晶体组成的硅晶片。此外，还提供所述硅晶片的制造方法。所述硅晶片用氮、氢和碳掺杂，其包括：多个空隙，其中空隙总数的等于或多于50％形成气泡状空隙聚集体；空隙密度超过2×104/cm3且小于1×105/cm3的V1区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102至2×104/cm3的V2区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或大于80％；及块体微缺陷密度为等于或大于5×108/cm3。
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公开(公告)号：CN103282555B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180063344.1
申请日：2011-11-10
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: H01L29/04 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02532 , Y10T428/21
Abstract: 提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。
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公开(公告)号：CN103173857A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210558695.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B33/02
Abstract: 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。
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公开(公告)号：CN101768776B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910221758.7
申请日：2009-11-16
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2x104/cm3且低于1x105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5x102-2x104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5x108/cm3。
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