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公开(公告)号：CN108070860A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711372004.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及一种钛基及钽基金属材料的表面改性方法及其产品和用途，所述表面改性方法包括如下步骤：(1)预处理：钛基或钽基金属材料进行抛光至具有镜面光泽；(2)光刻：将步骤(1)抛光后的表面涂覆光刻胶层，固化后，曝光进行光刻，显影；(3)ICP或RIE刻蚀：将步骤(2)显影后的基体放入ICP或RIE腔内，用刻蚀气体进行刻蚀，除去所述光刻胶层，得到表面具有纳米拓扑结构的医用金属材料。拓扑形貌可控，方法操作简单，不用SiO2或金属做表面保护，可根据需要设计不同的表面形貌引导细胞生长，增加细胞贴壁率；具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105810850A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610206129.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模，即：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；相对于所述带树脂层的金属板的金属板，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。
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公开(公告)号：CN105789487A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610206420.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模，即：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；相对于所述带树脂层的金属板的金属板，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。
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公开(公告)号：CN105779935A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610206491.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模，即：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；相对于所述带树脂层的金属板的金属板，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。
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公开(公告)号：CN104213122A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410233504.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/12
CPC classification number: H01L21/32135 , C23F1/12 , C23F4/02 , H01L21/67034 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备，用于使形成与β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属膜的蚀刻速度提高。该干法刻蚀方法使用含有β-二酮在内的蚀刻气体对基板上形成的金属膜进行蚀刻，所述金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属，所述含有β-二酮的蚀刻气体含有H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂，该添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594555A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310553963.X
申请日：2013-11-08
Applicant: 无锡英普林纳米科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , C23F1/02 , C23F1/12 , H01L31/186
Abstract: 本发明提供了一种具有自清洁功能的黑硅材料的制备方法。具体步骤：（1）硅纳米阵列制备工艺：利用匀胶机在硅衬底上依次均匀涂覆聚甲基丙烯酸甲酯层和紫外纳米压印胶层；利用紫外纳米压印复合软模板进行压印得到压印胶纳米阵列结构；利用反应离子刻蚀，暴露出硅衬底；在刻蚀后的样品表面镀一层铬，并用举离工艺得到铬纳米阵列结构；以铬纳米阵列结构为掩膜，利用反应离子刻蚀得到尖劈硅纳米结构即黑硅材料；（2）对刻蚀完成的黑硅材料进行氧气等离子的处理，并接着用氟硅烷试剂进行表面化学处理。本发明的制备方法能在硅衬底上得到具有自清洁功能的周期性纳米阵列结构的黑硅材料，可以广泛应用于高性能太阳能电池及光电效应器件的制备。
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公开(公告)号：CN103151457A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210524179.1
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23F1/12 , C23F1/02 , C23F4/00 , G11B5/3163 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。
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公开(公告)号：CN102176408B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110081734.3
申请日：2007-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311
CPC classification number: B05B12/12 , B05B12/04 , B05B13/02 , C01B7/191 , C09K13/08 , C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/02049 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/68742
Abstract: 本发明涉及干式非等离子体处理系统和使用方法。描述一种用于去除氧化物材料的干式非等离子体处理系统和方法。处理系统被构造成在受到的控制的状况(包括表面温度和气体压力)下提供对一个或者多个衬底的化学处理，其中每个衬底暴露于包括HF和可选地的NH3的气态化学物。此外，处理系统被构造成提供对每个衬底的热处理，其中，对每个衬底进行热处理以去除每个衬底上被化学处理的表面。
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公开(公告)号：CN107794408A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711127650.2
申请日：2017-11-15
Applicant: 成都测迪森生物科技有限公司
Inventor： 郑浩
CPC classification number: C22C14/00 , A61L31/022 , A61L31/14 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开了一种支架用钛合金材料，所述的钛合金按照重量份包括：钛：100份、银5-10份、镓：0.1-1份、镧：0.1-1份、铟0.1-1份。
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公开(公告)号：CN105810850B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610206129.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。通过如下的工序制造蒸镀掩模，即：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；相对于所述带树脂层的金属板的金属板，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。
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