(氢)卤烃的制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114901617B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202180008039.6

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明的一个实施方案的(氢)卤烃的制备方法包括对含有(氢)卤烃和与所述(氢)卤烃不同的化合物的共沸或类共沸组合物进行减压蒸馏,从而对所述(氢)卤烃进行提纯的工序。本发明的另一个实施方案的(氢)卤烃的制备方法包括对含有(氢)卤烃和与所述(氢)卤烃不同的化合物的共沸或类共沸组合物进行减压蒸馏,从而对所述(氢)卤烃进行提纯的工序,所述(氢)卤烃及所述化合物的标准沸点均为80℃以下。

    基材的处理方法及基材的制造方法

    公开(公告)号:CN119278504A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202380043184.7

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明的基材的处理方法具有下述工序:准备工序,准备在表面具有第1表面及第2表面的基材,所述第1表面含有Si,所述第2表面与第1表面化学组成不同且含有Si;表面改性工序,在施加使硅烷基化剂接触第1表面及第2表面的硅烷基化处理后,施加相对于第1表面而言将第2表面的拒水性选择性地降低的拒水性调整处理;以及加工工序,在表面改性工序之后,对于第2表面选择性施加加工处理。

    碳化硅单晶的制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114703542B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202210348418.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中,无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究,结果发现:使离角为60~68°的情况下,在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型,此时,通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育,从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。

    膜形成用组合物和基板的制造方法

    公开(公告)号:CN118451534A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202280086237.9

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 本公开的膜形成用组合物为用于供给至表面由质子性液体覆盖的状态的基板、在其表面的至少一部分形成拒水性膜的膜形成用组合物,所述膜形成用组合物包含:甲硅烷基化剂,其将基板的表面甲硅烷基化;催化性化合物,其促进基于甲硅烷基化剂的甲硅烷基化反应;和,非质子性溶剂,催化性化合物的含量在该膜形成用组合物100质量%中为1.0质量%以上。

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