公开(公告)号：CN118974869A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380032188.5

申请日：2023-03-17

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 安藤洋一

IPC: H01J35/08 ,  H01J35/10 ,  H05G1/52

Abstract: X射线成像装置包括：X射线产生装置；X射线检测器，被配置为检测从所述X射线产生装置发射的X射线；以及控制装置，被配置为控制所述X射线产生装置，所述X射线产生装置包括：X射线产生管，包括电子枪以及被配置为接收从所述电子枪发射的电子束以产生X射线的靶材；支撑结构，被配置为支撑所述X射线产生管；以及偏转器，被配置为使所述电子束偏转，其中，所述支撑结构支撑所述X射线产生管，以在所述偏转器被固定的状态下至少允许所述靶材转动，并且所述控制装置基于所述X射线产生装置的使用量和/或所述X射线产生装置产生的X射线的改变，确定是否需要使所述靶材转动。

公开(公告)号：CN114127332B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202080051147.7

申请日：2020-09-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 三浦顺 ,  福田直哉 ,  熊谷修二 ,  高城信二 ,  户田哲郎 ,  下川英利 ,  根岸智 ,  野村聪志 ,  添田纯也

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

Abstract: 负载锁定装置具备：负载锁定室，所述负载锁定室具有与传递室连接的第一搬运口和与装载室连接的第二搬运口，所述传递室与减压处理装置连接；基板保持件，所述基板保持件在所述负载锁定室中保持基板；驱动机构，所述驱动机构以使所述基板保持件升降的方式配置于所述负载锁定室的下方，并经由连结构件与所述基板保持件连结；延长室，所述延长室从所述负载锁定室的下部向侧方延长；以及泵，所述泵配置于所述延长室的下方，并经由所述延长室排出所述负载锁定室的气体。所述延长室具有在从所述基板保持件的铅垂下方偏离的位置具有开口的底面，所述泵与所述开口连接。

公开(公告)号：CN115697614A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038999.7

申请日：2021-05-25

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛津武仁 ,  鱼本幸 ,  宫本和夫 ,  宫本嘉和 ,  加藤延彦 ,  森脇崇行 ,  斋藤孝之

IPC: B23K20/00

Abstract: 本发明涉及原子扩散接合法及接合结构体。利用形成于接合面的由氮化物构成的接合膜进行原子扩散接合。在真空容器内，在具有平滑面的2个基体各自的所述平滑面上形成由氮化物构成的接合膜，并且以形成于所述2个基体的所述接合膜彼此接触的方式使所述2个基体重叠，从而在所述接合膜的接合界面产生原子扩散，由此将所述2个基体接合。

公开(公告)号：CN115628844A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211359810.7

申请日：2020-09-17

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 齐藤典行 ,  饭塚求磨 ,  千田英里子

IPC: G01L21/30 ,  G01R19/165 ,  G01R27/16

Abstract: 本发明公开了电子生成装置和电离真空计。电子生成装置包括：灯丝；电源，被配置成向灯丝供应电力以便使灯丝发射电子；以及控制器，被配置成重复地检测与从电源供应到灯丝的电力具有相关性的值、通过使用检测到的多个值来确定灯丝的状态是否满足通知条件，并且在该状态满足通知条件时执行通知。

公开(公告)号：CN111542645B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201780097973.3

申请日：2017-12-27

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 药师神弘士 ,  三浦让 ,  芝本雅弘

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/24

Abstract: 一种成膜方法，在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电，利用由此产生的等离子体在基板上形成膜，其中，包括：变更工序，将通过所述撞击器诱发电弧放电的位置在所述靶材的设定的区域中进行变更；成膜工序，利用通过在所述位置引起电弧放电而产生的等离子体，在基板上形成膜；以及缩小工序，根据所述靶材的使用而缩小所述区域。

公开(公告)号：CN110800377B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201880042465.X

申请日：2018-06-26

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 关谷一成 ,  田名部正治 ,  井上忠 ,  笹本浩 ,  佐藤辰宪 ,  土屋信昭

IPC: H05H1/46 ,  B01J19/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065

Abstract: 等离子体处理装置包括：具有第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子的巴伦；真空容器；被电连接至第一输出端子的第一电极；被电连接至第二输出端子的第二电极；以及被配置为电连接真空容器与地的连接部，该连接部包括电感器。

公开(公告)号：CN114341607A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201980099766.0

申请日：2019-09-13

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 川崎洋補

IPC: G01L21/34

Abstract: 该电离真空计包括阳极、阴极和电磁波源。阴极包括第一阴极板，该第一阴极板包括：阳极通过的贯通孔；和储存电磁波源的储存部。第一阴极板在储存部和贯通孔之间包括允许由电磁波源产生的电磁波通过的通路。

公开(公告)号：CN114175225A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080051124.6

申请日：2020-09-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 三浦顺 ,  福田直哉 ,  高城信二 ,  下川英利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 负载锁定装置具备负载锁定室和在所述负载锁定室中保持基板的基板保持构造。所述基板保持构造具有与所述基板相向的相向面，并构成为能够使气体在所述基板与所述相向面之间的空间流动。在由所述基板保持构造保持所述基板的状态下，位于比所述相向面的外缘靠内侧的位置的部分与所述基板的距离大于所述相向面的所述外缘与所述基板的距离。

公开(公告)号：CN107078031B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201580052175.X

申请日：2015-07-09

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 醍醐佳明 ,  清野拓哉 ,  大塚喜隆 ,  牧田裕之 ,  石桥奏太朗 ,  山中和人

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

公开(公告)号：CN110129761A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910426460.3

申请日：2015-06-22

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 野泽直之 ,  松木信雄 ,  坂本怜士 ,  石原雅仁

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 根据本发明的成膜装置具备：腔室；在所述腔室之中保持基板的保持部；以所述基板通过所述腔室之中的成膜区域的方式而使保持所述基板的所述保持部移动的驱动部；向所述成膜区域供应成膜物质从而将膜形成于正通过所述成膜区域的所述基板的成膜部；以及冷却所述保持部的冷却部。