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公开(公告)号：CN111542645B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780097973.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Abstract: 一种成膜方法，在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电，利用由此产生的等离子体在基板上形成膜，其中，包括：变更工序，将通过所述撞击器诱发电弧放电的位置在所述靶材的设定的区域中进行变更；成膜工序，利用通过在所述位置引起电弧放电而产生的等离子体，在基板上形成膜；以及缩小工序，根据所述靶材的使用而缩小所述区域。
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公开(公告)号：CN111328469B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201780096699.8
申请日：2017-11-13
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Abstract: 提供有利于均匀地处理基板的技术。等离子体处理装置具备：处理室，用于对基板进行处理；等离子体产生部，用于产生等离子体；输送部，其中在上述等离子体产生部中产生的等离子体被输送至上述处理室；及扫描磁场产生部，产生使上述等离子体偏转的磁场以通过上述等离子体扫描上述基板，上述扫描磁场产生部的构成使得上述等离子体的轨迹的中心是能够调整的。
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公开(公告)号：CN115427606B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202080099470.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据本发明的成膜设备具有工艺腔室和设置在工艺腔室中并且形成粘合膜的处理单元。工艺腔室的内壁表面由对残留在工艺腔室中的气体或水(H2O)具有大的吸气效应的物质形成。
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公开(公告)号：CN116134577A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180059511.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 一种离子枪，具有：阳极；面对阳极的具有第一部分和第二部分的阴极；在第一部分和第二部分之间形成空间磁场的磁体。在阴极的第一部分和第二部分之间设置包括曲线部的环状间隙。在曲线部的第一部分和第二部分之间，磁体形成磁力线，该磁力线具有比间隙的截面中心线靠近内侧的底部。
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公开(公告)号：CN115989578A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052501.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明提出：可以改善树脂层和籽晶层之间的粘合性的层叠体；以及用于制造该层叠体的方法。层叠体依次具有基板、第一布线层、树脂层和第二布线层。第二布线层依次具有至少粘合层和籽晶层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107709605B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201580080904.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Abstract: 利用电弧放电在基板上形成ta‑C膜的真空电弧成膜装置包括：保持靶部的保持单元；阳极部，从所述靶部放电的电子流入所述阳极部；以及电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应通过电弧放电使等离子体产生的电流；其中，在所述电弧放电时所述电源供应的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率不高于140Hz的脉冲电流的电流。
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公开(公告)号：CN107709605A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201580080904.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Abstract: 利用电弧放电在基板上形成ta-C膜的真空电弧成膜装置包括：保持靶部的保持单元；阳极部，从所述靶部放电的电子流入所述阳极部；以及电源，所述电源在所述靶部与所述阳极部之间供应通过电弧放电使等离子体产生的电流；其中，在所述电弧放电时所述电源供应的电流是通过在直流电流上叠加脉冲频率不高于140Hz的脉冲电流的电流。
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公开(公告)号：CN115427606A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099470.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据本发明的成膜设备具有工艺腔室和设置在工艺腔室中并且形成粘合膜的处理单元。工艺腔室的内壁表面由对残留在工艺腔室中的气体或水(H2O)具有大的吸气效应的物质形成。
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公开(公告)号：CN111542645A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201780097973.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Abstract: 一种成膜方法，在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电，利用由此产生的等离子体在基板上形成膜，其中，包括：变更工序，将通过所述撞击器诱发电弧放电的位置在所述靶材的设定的区域中进行变更；成膜工序，利用通过在所述位置引起电弧放电而产生的等离子体，在基板上形成膜；以及缩小工序，根据所述靶材的使用而缩小所述区域。
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