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公开(公告)号：CN117991525B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410405708.9
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，公开了一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该芯片包括：电极结构、上臂波导以及下臂波导；电极结构存在弯折区，在弯折区中的电极结构弯曲；上臂波导和所述下臂波导均设置于电极结构中，且在弯折区中对应弯曲；其中，电极结构中间存在方向相反的第一电场和第二电场；上臂波导设于第一电场中，下臂波导设于第二电场中。本发明通过设置电极结构在弯折区中弯曲，上臂波导和下臂波导在弯折区中对应弯曲，能够在满足低半波电压的同时降低电光调制器的调制长度，有效减小了芯片尺寸，更有利于片上大规模集成，进而有效提高了电光调制器的性能。
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公开(公告)号：CN118348699A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410604441.6
申请日：2024-05-15
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种相干光调制器芯片及相干调制器，涉及光调制器技术领域，其中，光调制器芯片的光学结构中，双边定向耦合器用于将耦合进波导的光信号分为具有π相位差的两束，以分别通过两第一波导臂传输，每一波导臂中的光信号通过一第一分束器分成两束，以分别通过两第二波导臂传输；两电光调制器分别设于两第一分束器的下游，用于对第二波导臂中的光信号进行调制，每一电光调制器的两第三波导臂中的光信号通过一第一合束器合成一束，以通过第四波导臂传输，两第四波导臂中的光信号通过第二合束器合成一束；移相器设于其一第四波导臂。本发明的技术方案减少了移相器的数量，能够降低相干调制器的整体功耗，提高相干光调制器芯片的稳定性。
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公开(公告)号：CN117991525A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405708.9
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，公开了一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该芯片包括：电极结构、上臂波导以及下臂波导；电极结构存在弯折区，在弯折区中的电极结构弯曲；上臂波导和所述下臂波导均设置于电极结构中，且在弯折区中对应弯曲；其中，电极结构中间存在方向相反的第一电场和第二电场；上臂波导设于第一电场中，下臂波导设于第二电场中。本发明通过设置电极结构在弯折区中弯曲，上臂波导和下臂波导在弯折区中对应弯曲，能够在满足低半波电压的同时降低电光调制器的调制长度，有效减小了芯片尺寸，更有利于片上大规模集成，进而有效提高了电光调制器的性能。
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公开(公告)号：CN116682880A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310756033.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种面入射型硅基锗光电探测器及其制备方法，该硅基锗光电探测器包括：下台面；位于下台面上表面的上台面，上台面包括由预设数目的结构单元周期性排列构成的超构结构；超构结构包括第一n型掺杂锗层和第一本征锗层；第一本征锗层设置在下台面的上表面；第一n型掺杂锗层设置在第一本征锗层的上表面。本发明基于超构结构增强整体器件光与物质间的相互作用，增加了器件在特定波段的光电转化效率，并缩减了载流子的渡越时间，提高了整体器件的响应度，实现面入射型光电探测器响应度和带宽之间的平衡。
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公开(公告)号：CN118074811A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410122440.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/50 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及光通信领域，公开一种光子集成多波长相干发射机以及发射方法，该光子集成多波长相干发射机包括：多波长光源、发射机调制模块和光放大器；发射机调制模块包括：总分束器、第一微环调制子模块、第二微环调制子模块、偏振旋转器和偏振光合束器；总分束器将多波长光源产生的光波分为第一光波和第二光波，并分别发送至第一微环调制子模块和第二微环调制子模块进行调制，获得第一光信号和第二光信号；偏振旋转器对第二光信号进行偏振旋转；偏振光合束器对第一光信号和偏振旋转后的第二光信号进行耦合，获得复合光信号并由光放大器放大并发射。相较于现有基于马赫曾德尔调制器的相干发射机，本发明能通过减少调制器数量提高集成水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117991526A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405699.3
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导臂、设置于第一波导臂两侧的第一行波电极对、第二波导臂以及设置于第二波导臂两侧的第二行波电极对；第一行波电极对，用于接收信号发生器产生的正极性差分信号，并生成第一电场，以使第一波导臂根据第一电场进行调制；第二行波电极对，用于接收信号发生器产生的负极性差分信号，并生成第二电场，以使第二波导臂根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。相比于现有的仅采用一路电信号进行调制，本发明采用正极性差分信号以及负极性差分信号分别进行调制，提升了传输性能。
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公开(公告)号：CN117639926A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311626410.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/079 , H04B10/556 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02B6/28
Abstract: 本发明涉及光信息处理技术领域，公开一种高维相互无偏基测量系统及方法，该系统包括：至少两个相位调制模块和多光束干涉模块；其中，至少两个相位调制模块分别与多光束干涉模块连接，相位调制模块的数量与系统的系统维度相同；相位调制模块对入射光束进行相位调制，获得调制光束；多光束干涉模块基于多模干涉和自映像原理，对接收到的各调制光束进行干涉，获得标准傅里叶变换矩阵；标准傅里叶变换矩阵用于实现相互无偏基测量。本发明通过相位调制器和多光束干涉模块获得入射光束的标准傅里叶变换矩阵，为相互无偏基测量提供了基础，大幅降低了相互无偏基测量所需的元器件，使得用于进行光学编码的空间路径编码系统可以更大规模的扩展。
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公开(公告)号：CN117348166A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311353731.X
申请日：2023-10-18
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开一种波长选择开关及可重构光分插复用器，所述波长选择开关包括光纤阵列、光纤准直器阵列、偏振控制单元、光束整形系统、透射光栅、切换聚焦单元、消色差处理单元、控制引擎、以及多个压电晶体结构，多个所述压电晶体结构与所述光纤阵列的多根光纤一一对应设置，多个所述压电晶体结构具有在所述光纤的延伸方向上的两端，所述压电晶体结构的一端固定，各所述压电晶体结构的另一端与对应的所述光纤连接，各所述压电晶体结构的另一端在所述波长选择开关的高度方向上产生微小位移以带动对应的所述光纤偏转。本技术方案，在实现多进多出的波长选择开关功能的同时，光路精简、可靠性高。
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公开(公告)号：CN117991524B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410405696.X
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导、设置在第一波导两侧的第一差分电极对、第二波导和设置在第二波导两侧的第二差分电极对；第一差分电极对和第二差分电极对均与信号发生器连接；第一差分电极对响应信号发生器产生的一对差分信号生成第一电场，以使第一波导根据第一电场进行调制；第二差分电极对响应信号发生器产生的一对差分信号生成第二电场，以使第一波导根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。本发明通过采用上下对称的电极结构接入一对差分信号分别对两个光波导进行调制，降低电光调制的驱动电压，大幅降低了器件功耗。
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公开(公告)号：CN117991526B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410405699.3
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导臂、设置于第一波导臂两侧的第一行波电极对、第二波导臂以及设置于第二波导臂两侧的第二行波电极对；第一行波电极对，用于接收信号发生器产生的正极性差分信号，并生成第一电场，以使第一波导臂根据第一电场进行调制；第二行波电极对，用于接收信号发生器产生的负极性差分信号，并生成第二电场，以使第二波导臂根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。相比于现有的仅采用一路电信号进行调制，本发明采用正极性差分信号以及负极性差分信号分别进行调制，提升了传输性能。
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