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公开(公告)号：CN101981661A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111729.3
申请日：2009-02-11
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 约瑟夫·D·斯威尼 , 沙拉德·N·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 罗伯特·凯姆 , 戴维·埃尔德里奇 , 史蒂文·塞尔基 , 丰琳 , 史蒂文·E·毕晓普 , 卡尔·W·奥兰德 , 唐瀛
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
Abstract: 本发明披露了利用能够生长/侵蚀电弧室的离子源内的丝极的反应性清洗剂通过适当地控制电弧室内的温度来清洗离子植入系统或其部件，以实现所希望的丝极生长或可替换的丝极侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx在用于在环境温度、升高的温度或等离子体条件下以原位或离位清洗配置来清洗离子植入机的区域或植入机的部件中的应用，其中x具有化学计量适当的值或值的范围。在具体的反应性清洗剂中，BrF3被描述为可用于以原位或离位清洗配置来清洗离子植入系统或其一个或多个部件。还描述了一种清洗离子植入系统的前级管道用于从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物的方法，该方法包括使所述前级管道与清洗气体进行接触，其中所述清洗气体与所述沉积物具有化学反应性。还描述了一种改进离子植入系统的性能并延长离子植入系统的寿命的方法，包括使阴极与气体混合物进行接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101473073A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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公开(公告)号：CN101437629A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580044390.1
申请日：2005-10-21
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: C23G5/00 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/32862 , H01J2237/022 , H01J2237/31701
Abstract: 一种用于清洗来自用在微电子器件制造中的离子注入机的真空室元件的、和束流线(beamline)元件的残留物的方法和装置。为了有效地移除残留物，在充分条件下使这些元件与气相活性卤化物的组分充分接触一段时间以至少部分移除残留物。选取气相活性卤化物的组分以有选择地与残留物发生反应，而不与真空室的离子源区域的元件进行反应。
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公开(公告)号：CN102747336A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210212418.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及半导体加工系统的清洁方法和装置。本发明涉及一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。本发明的方法和装置能够最小化暴露在卤间化合物中的危险。
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公开(公告)号：CN101473073B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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公开(公告)号：CN101268546A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200580043996.3
申请日：2005-10-24
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 詹姆斯·迪茨 , 史蒂文·E·毕晓普 , 詹姆斯·V·麦克马纳斯 , 史蒂文·M·卢尔科特 , 迈克尔·J·沃德延斯基 , 罗伯特·凯姆 , 小弗朗克·迪梅奥
CPC classification number: G01N33/00 , F17C11/00 , G01F15/063 , G01F22/02 , G01F23/0076 , G01M3/32 , G01M3/3236 , G06Q10/087 , G06Q30/04 , G06Q50/04 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L22/10 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24011 , H01L2224/2518 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H05K1/185 , H05K3/4602 , H05K2203/0165 , H05K2203/085 , H05K2203/1469 , Y02P90/30 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49165 , Y10T29/53183 , H01L2224/45099
Abstract: 一种监测系统(100)，用于在包括从流体供应容器中分配流体的操作期间监测流体供应容器(22、24、26、28、108)中的流体。监测系统包括：(i)一个或多个传感器(114、126)，用于监测流体供应容器的或从该流体供应容器中分配的流体的特性，(ii)数据获取模块(40、132、146)，可操作性地与一个或多个传感器连接，以从该流体供应容器中接收监测信号并响应性地产生与由一个或多个传感器监测的特性相关的输出，以及(iii)处理器(50、150)和显示器(52、150)，可操作性地与数据获取模块连接并被安排来处理来自数据获取模块的输出以及被安排来响应性地把在流体供应容器中的流体图示、记帐文件、使用报告、和/或再供应请求等输出出来。
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