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公开(公告)号：CN101473073A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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公开(公告)号：CN102747336A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210212418.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及半导体加工系统的清洁方法和装置。本发明涉及一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。本发明的方法和装置能够最小化暴露在卤间化合物中的危险。
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公开(公告)号：CN101473073B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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