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公开(公告)号：CN101495190B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200680016777.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 保罗·J·马尔甘斯基 , 詹姆斯·I·迪茨 , 约瑟夫·D·斯威尼
CPC classification number: B01J7/00 , B01J2219/00094 , B01J2219/00141 , B01J2219/00146 , C23C14/48 , C23C14/564 , C23C16/4405 , C23C16/4481
Abstract: 一种用于从其固体源递送试剂的系统(10)，包括：一结构(16、22、24)，被设置成通过所述结构的至少一部分将固体源材料(30)保持封闭，用于加热固体源材料并通过蒸发固体源材料从固体源材料中产生蒸气；热源(82)，被设置成加热固体源材料，以实现所述蒸发；以及蒸气分配组件(52、54)，被设置成从所述系统中排出蒸气。还描述了高传导性阀(1510)，其适于用作用于试剂存储的分配控制阀以及分配容器，例如，容纳以低压分配的半导体制造试剂的容器。该高传导性阀包括阀体(1512)，其中，进口和出口通道彼此基本垂直，它们的内部末端于阀室(1536)连通，该阀室包含有可选择性定位的阀元件，该阀元件可在完全打开位置与完全闭合位置之间移动。通过这种高传导性阀可以获得大约2.7至2.9的阀流量系数(Cv)值，这使得即使在极低压力的情况下(如20托以下)，该阀也可获得优异的分配操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102747336A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210212418.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及半导体加工系统的清洁方法和装置。本发明涉及一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。本发明的方法和装置能够最小化暴露在卤间化合物中的危险。
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公开(公告)号：CN101473073B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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公开(公告)号：CN102791359A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013817.7
申请日：2011-01-11
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： W·卡尔·奥兰德 , 保罗·J·马尔甘斯基
CPC classification number: F24F11/04 , B01D53/04 , B01D2253/102 , B01D2258/0216 , F17C11/00 , F17C11/005 , F17C11/007 , F17C13/084 , F17C2201/0109 , F17C2201/032 , F17C2201/056 , F17C2205/0111 , F17C2205/0126 , F17C2205/0142 , F17C2205/0176 , F17C2205/018 , F17C2205/0338 , F17C2205/0394 , F17C2250/032 , F17C2250/043 , F17C2250/0439 , F17C2250/0469 , F17C2250/0491 , F17C2250/0636 , F17C2260/044 , F17C2270/0518 , F24F11/0012 , F24F11/30 , F24F11/74 , F24F2011/0042 , F24F2110/10 , F24F2110/40 , Y02P80/156
Abstract: 一种通风气体管理系统和方法，用于适于包含流体供应容器的罩壳，通风气体流过该罩壳以流体在从容器泄漏的情况下提供安全操作。调节通风气流以适应与这种包含流体供应容器的罩壳的布置和操作相关的各种危险水平，所述流体供应容器例如为半导体制造设备中的气体箱或气瓶柜，从而减小这种布置和操作另外所需要的通风气体需求。
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公开(公告)号：CN101495190A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200680016777.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 保罗·J·马尔甘斯基 , 詹姆斯·I·迪茨 , 约瑟夫·D·斯威尼
CPC classification number: B01J7/00 , B01J2219/00094 , B01J2219/00141 , B01J2219/00146 , C23C14/48 , C23C14/564 , C23C16/4405 , C23C16/4481
Abstract: 一种用于从其固体源递送试剂的系统(10)，包括：一结构(16、22、24)，被设置成通过所述结构的至少一部分将固体源材料(30)保持封闭，用于加热固体源材料并通过蒸发固体源材料从固体源材料中产生蒸气；热源(82)，被设置成加热固体源材料，以实现所述蒸发；以及蒸气分配组件(52、54)，被设置成从所述系统中排出蒸气。还描述了高传导性阀(1510)，其适于用作用于试剂存储的分配控制阀以及分配容器，例如，容纳以低压分配的半导体制造试剂的容器。该高传导性阀包括阀体(1512)，其中，进口和出口通道彼此基本垂直，它们的内部末端于阀室(1536)连通，该阀室包含有可选择性定位的阀元件，该阀元件可在完全打开位置与完全闭合位置之间移动。通过这种高传导性阀可以获得大约2.7至2.9的阀流量系数(Cv)值，这使得即使在极低压力的情况下(如20托以下)，该阀也可获得优异的分配操作。
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公开(公告)号：CN101473073A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023221.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 小弗朗克·迪梅奥 , 詹姆斯·迪茨 , W·卡尔·奥兰德 , 罗伯特·凯姆 , 史蒂文·E·毕晓普 , 杰弗里·W·纽纳 , 乔斯·I·阿尔诺 , 保罗·J·马尔甘斯基 , 约瑟夫·D·斯威尼 , 戴维·埃尔德里奇 , 沙拉德·叶戴夫 , 奥列格·比尔 , 格雷戈里·T·施陶夫
CPC classification number: C23C14/564 , C23C16/4405 , H01J37/32412 , H01J37/32862
Abstract: 本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF2、XeF4、XeF6、NF3、IF5、IF7、SF6、C2F6、F2、CF4、KrF2、Cl2、HCl、ClF3、ClO2、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、HOBr、Br2、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6，以及有机氯化物，例如COCl2、CCl4、CHCl3、CH2Cl2和CH3Cl。
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