一种太阳能电池以及光伏组件

    公开(公告)号:CN118610282B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202410713382.6

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池以及光伏组件,所述太阳能电池包括硅基底、第一传输层和第二传输层,所述硅基底的第一表面分别设有所述第一传输层和所述第二传输层,所述第一传输层和所述第二传输层交替间隔设置;所述第一传输层设有刻蚀区域,所述刻蚀区域所处平面低于或平齐于所述第一传输层背离所述硅基底的平面;和/或,所述第二传输层设有刻蚀区域,所述刻蚀区域所处平面低于或平齐于所述第二传输层背离所述硅基底的平面;所述刻蚀区域具有颗粒物,该颗粒物可以增加正面透射光线的背面反射,进而提高太阳能电池的吸光效率。

    一种背接触电池和光伏组件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119907363A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510043950.0

    申请日:2025-01-10

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触电池包括:硅基底,所述硅基底包括相对设置的第一面和第二面,以及连接所述第一面和所述第二面的侧面;以及沿背离所述侧面的方向,依次设置在所述侧面上的第一界面钝化层、第一掺杂硅层、本征硅层、第二掺杂硅层和透明导电层;在所述硅基底的侧面,所述第一掺杂硅层和所述本征硅层直接接触;其中,所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层的导电类型相反。在硅基底的侧面,第一掺杂硅层可以通过本征硅层和与自身导电类型相反的第二掺杂硅层电性连接,从而在硅基底的侧面形成具有较低反向击穿电压的二极管结构,降低背接触电池的热斑风险。

    背接触光伏电池及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119907357A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510058515.5

    申请日:2024-06-14

    Abstract: 本申请公开了一种背接触光伏电池及其制备方法,背接触光伏电池,包括硅衬底,硅衬底的背面依次交替设置有多个第一区域和多个第二区域,各第一区域设置有第一半导体层,各第二区域设置有第二半导体层;第一半导体层连接第一透明电极图案,第二半导体层连接第二透明电极图案,第一透明电极图案和第二透明电极图案之间通过第一间隙相互隔离;第一透明电极图案靠近第一间隙的边缘,在沿垂直于第一区域向第二区域延伸的方向,第一透明电极图案的边缘的形状为波浪形;和/或;第二透明电极图案靠近第一间隙的边缘,在沿垂直于第一区域向第二区域延伸的方向,第二透明电极图案的边缘的形状为波浪形。本申请方案可以提升背接触光伏电池的转换效率。

    背接触太阳能电池及光伏组件

    公开(公告)号:CN118899353B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411389935.3

    申请日:2024-10-08

    Abstract: 本申请提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该背接触太阳能电池包括硅片,硅片的背面形成有电极收集区,电极收集区包括沿第一方向交替分布的多个极性相反的第一极性载流子收集区和多个第二极性载流子收集区,相邻的第一极性载流子收集区和第二极性载流子收集区之间具有隔离区;其中,沿第一方向紧邻硅片边缘的两个边缘载流子收集区中的至少一个的宽度大于远离硅片边缘的任何一个相同极性的内侧载流子收集区的宽度。本申请通过控制边缘载流子收集区的宽度大于相同极性的内侧载流子收集区的宽度,并调整边缘载流子收集区金属电极的位置,来促进硅片边缘区域的载流子收集,有利于提升电池的光电转换效率。

    一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119421556A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411231900.7

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本申请公开一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,其中太阳能电池包括:半导体基底,半导体基底具有相对的第一面和第二面;第一半导体层,设置于第一面上,第一半导体层包括第一部分以及沿着第二方向紧邻第一部分的第二部分,第一部分的晶化程度大于第二部分的晶化程度,第一半导体层包括非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种。通过在第一半导体层上设置合理的晶化区域和非晶化区区域,利用第一部分较高的晶化程度使得太阳能电池整体的电池效率得到优化,提高了电池效率,同时利用第二部分较低的晶化程度,保证了第二部分的钝化效果,防止漏电。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119421555A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411231314.2

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,用于使得背接触电池具有较低的热斑风险,提高背接触电池的工作可靠性;同时,使得背接触电池在正向电压区域内具有较高的工作效率。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体部和透明导电层。在反向漏电区域中,透明导电层从第二区域延伸进入交叠区域的部分为第一透明导电部,第一透明导电部通过第二掺杂半导体部与第一掺杂半导体部电性连接。上述第一透明导电部在第一方向上的宽度为W1,交叠区域在第一方向上的宽度为W2,W1与W2的比值大于等于10%、且小于等于90%。

    一种背接触电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118472072B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410918526.1

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制作方法、光伏组件,电池包括:半导体基底,其第一面具有位于边缘的边缘区和位于非边缘区且交替分布的第一半导体区和第二半导体区;第一半导体层,设于第一半导体区;第二半导体层,设于第二半导体区,与第二半导体层导电类型不同;第三半导体层,设于边缘区;第四半导体层,设于边缘区,与第三半导体层叠层设置,且与第三半导体层导电类型相同,第四半导体层和第一半导体层导电类型相同,第三半导体层和第二半导体层导电连接;第一电极,设于第一半导体层上,且由第一半导体层上延伸至与第四半导体层具有交叠区域,并与第四半导体层电连接;第二电极,设于第二半导体层上。在边缘区形成漏电通道,减小热斑风险。

    背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN115588698B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202211385088.4

    申请日:2022-11-07

    Abstract: 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括:硅基底,位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层;第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙,第二半导体层的第二部分与第一部分连续,且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上;第一绝缘层至少位于间隙中,且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间,除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外,第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用,降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。

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