光伏组件和光伏系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119451245A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411495763.8

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明提供了一种光伏组件和光伏系统,涉及光伏技术领域。光伏组件包括:电池片;电池片设置有电极;电连接件,电连接件具有金属内芯;金属内芯通过结合材料电连接相邻两个电池片的电极;结合材料和金属内芯之间形成有第一合金层;垂直金属内芯的长度延伸方向的截面为第一截面,第一截面中,所述第一合金层包覆所述金属内芯的轮廓线的80%以上。本申请的光伏组件,不仅连接质量可靠,对电流的传输效果好,而且,基本不会存在过度连接,可以提升光伏组件在多年的服役期间连接的可靠性和稳定性。

    一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件

    公开(公告)号:CN119300546A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202310821921.3

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括:硅基底,第二导电区域为绒面结构;第二传输层包括:位于绝缘区域的第一部分,以及位于第二导电区域的第二部分;第一部分的厚度,大于位于第二部分的厚度;阻挡层包括远离硅基底的第二表面,以及与第二表面连接且靠近绝缘区域的第一侧面;第一侧面,从靠近第二表面的第一端,向靠近绝缘区域的第二端,依次朝向绝缘区域延伸。本发明利于第二传输层中位于第一侧面上的部分的沉积,形成的第二传输层的形状完整性更好,第二传输层中,第一部分的厚度较大,提升了背接触太阳能电池的各项性能,且钝化性能和绝缘性能更好。

    一种背接触电池及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118969870A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411287786.X

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,用于增大背接触电池中背光面一侧的光线利用率。背接触电池包括硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层。硅基底的背光面中与第一掺杂半导体层接触的区域为第一区域,其余区域为第二区域。第二区域上形成有相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的凹槽结构。第一掺杂半导体层与第二区域相邻的端部悬空设置。凹槽结构的侧壁中,靠近槽口的部分表面与水平面倾斜设置,靠近槽口的部分表面与靠近槽底的部分表面之间具有与水平面平行设置的平面;第一掺杂半导体层中悬空设置的端部覆盖在凹槽结构的侧壁中靠近槽口且与水平面倾斜设置的部分的上方。

    一种太阳能电池和光伏组件

    公开(公告)号:CN118116979B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410175427.9

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:硅衬底,以及位于硅衬底上的钝化减反层;硅衬底的表面具有绒面结构,绒面结构包括:若干个类棱锥结构;类棱锥结构:包括锥面和锥顶;类棱锥结构的锥面包括:远离锥顶的第一子锥面,以及第二子锥面,类棱锥结构的锥面中,第一子锥面与第二子锥面的表面形态不同;钝化减反层包括:位于第一子锥面上的第一部分,以及位于第二子锥面上的第二部分,钝化减反层中,沿着靠近锥顶的同一方向上的第一部分的厚度,大于第二部分的厚度。本申请可以保证各个位置均具有优良的钝化效果,且减少了浪费,增加了对光的吸收,陷光效果好,提升了短路电流和光电转换效率。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118472070B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410918522.3

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,以降低背接触电池的热斑风险。所述背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域。第一掺杂半导体部设置在第一区域和第三区域之内或之上。第二掺杂半导体部设置在第二区域和第三区域上。其中,第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。在第三区域,第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部沿半导体基底的厚度方向层叠设置,以形成堆叠结构。在堆叠结构中,第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部之间具有中空间隙。

    一种太阳能电池和光伏组件

    公开(公告)号:CN118116984B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410517763.7

    申请日:2024-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域,以降低将相邻太阳能电池互连后所形成的互连应力,降低太阳能电池裂片风险。太阳能电池包括电池本体、集电电极和第一互连结构。位于同一目标面上的不同集电电极均沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布。每个第一互连结构与至少一个集电电极电性连接。沿第二方向间隔分布的不同第一互连结构的至少部分区域位于同一连接线上。位于同一目标面内的连接线的数量为N1,与目标线段相交的第一互连结构的数量为N2,N1>N2。目标线段为目标面的对角线,或,目标线段为目标面沿第一方向相对分布的两个边缘中的长度较大的一者的中点和与两个边缘中的长度较小的一者对应的顶角端点的连线段。

    一种电池片的分选方法、设备、装置及计算可读存储介质

    公开(公告)号:CN118523723A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410316432.7

    申请日:2024-03-19

    Abstract: 本发明公开一种电池片的分选方法、设备、装置及计算可读存储介质,涉及电池片分选技术领域,以提供一种能够基于热斑缺陷,对电池片按照质量进行分选的技术方案。对待分选电池片进行热斑检测,以获取表征所述待分选电池片热斑缺陷的电学参数和热斑参数。基于所述电学参数,确定所述待分选电池片的电学特性值。基于所述热斑参数,确定所述待分选电池片的热斑特性值。利用所述待分选电池片的电学特性值,和/或,所述待分选电池片的热斑特性值,确定所述待分选电池片的分选结果。

    一种背接触电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118472072A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410918526.1

    申请日:2024-07-10

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制作方法、光伏组件,电池包括:半导体基底,其第一面具有位于边缘的边缘区和位于非边缘区且交替分布的第一半导体区和第二半导体区;第一半导体层,设于第一半导体区;第二半导体层,设于第二半导体区,与第二半导体层导电类型不同;第三半导体层,设于边缘区;第四半导体层,设于边缘区,与第三半导体层叠层设置,且与第三半导体层导电类型相同,第四半导体层和第一半导体层导电类型相同,第三半导体层和第二半导体层导电连接;第一电极,设于第一半导体层上,且由第一半导体层上延伸至与第四半导体层具有交叠区域,并与第四半导体层电连接;第二电极,设于第二半导体层上。在边缘区形成漏电通道,减小热斑风险。

    一种背接触太阳能电池和光伏组件

    公开(公告)号:CN117637892B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202410109820.8

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括:硅基底,硅基底具有相对的第一侧和第二侧;P型掺杂多晶硅层;位于硅基底的第一侧的第一区域;N型掺杂多晶硅层;位于硅基底的第一侧的第二区域;第一区域异于第二区域;P型掺杂多晶硅层的厚度,与N型掺杂多晶硅层的厚度的比值为:1至2。本发明中,P型掺杂多晶硅层的厚度较大,可以提升P型掺杂多晶硅层的钝化效果。P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层均可以针对其所对应的掺杂浓度、钝化效果等,分别设置对应的厚度,不仅可以使得钝化效果、掺杂浓度均达到较优的效果,而且还可以节省材料。

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