公开(公告)号：CN115588698A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211385088.4

申请日：2022-11-07

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 章金生 ,  吴帅 ,  罗飞 ,  田小强 ,  唐喜颜 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层；第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙，第二半导体层的第二部分与第一部分连续，且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上；第一绝缘层至少位于间隙中，且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间，除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外，第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用，降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。

公开(公告)号：CN115588698B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202211385088.4

申请日：2022-11-07

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 章金生 ,  吴帅 ,  罗飞 ,  田小强 ,  唐喜颜 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层；第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙，第二半导体层的第二部分与第一部分连续，且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上；第一绝缘层至少位于间隙中，且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间，除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外，第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用，降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。