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公开(公告)号：CN119789608A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510021379.2
申请日：2025-01-06
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底；硅基底的第一表面包括：第一导电区域、第二导电区域以及位于第一导电区域和第二导电区域之间的叠层区域；第一传输层，位于第一导电区域和叠层区域上；第二传输层，位于第二导电区域和叠层区域上，且在叠层区域，第二传输层位于第一传输层背离硅基底的一侧；在叠层区域：第一传输层靠近第二导电区域的侧面具有第一凹凸形貌，第二传输层靠近第一导电区域的侧面具有第二凹凸形貌；所述第一凹凸形貌与所述第二凹凸形貌不同。本申请在第一传输层靠近第二导电区域的交界处的钝化效果较好，提升了背接触太阳能电池的发电效率。
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公开(公告)号：CN116190483B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202211098083.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/20 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以将背接触异质结太阳能电池中P型区域与第一电极之间的接触势垒、以及N型区域与第二电极之间的接触势垒同时降低至较小的目标范围，提高其光电转换效率。背接触异质结太阳能电池包括：硅异质结基底、第一透明导电层和第二透明导电层。硅异质结基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔设置的P型区域和N型区域。第一透明导电层至少形成在P型区域上。第二透明导电层至少形成在N型区域上。第二透明导电层位于N型区域上的部分与第一透明导电层位于P型区域上的部分相互绝缘。第二透明导电层的功函数小于第一透明导电层的功函数。
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公开(公告)号：CN118507571A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410390321.0
申请日：2024-04-01
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供了一种背接触电池及其制备方法，所述电池包括：硅晶基底，其具有相对的第一面和第二面；于所述第一面上交替设置的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域对应的硅晶基底中分别具有第一扩散掺杂层和第二扩散掺杂层；位于第一区域和第二区域之间的隔离区域，所述隔离区域对应的硅晶基底向其内部凹陷，形成凹槽；形成于所述第一区域、第二区域和隔离区域上的外表面层；第二电极，贯穿第二区域的外表面层并与第二扩散掺杂层接触，形成与第二扩散掺杂层极性相反的重掺杂区。本申请的背接触电池可以阻断电池的漏电通道，有效提升电池的电性能。
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公开(公告)号：CN117558795A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310728616.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/056 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底、均位于硅基底第一侧的第一传输层、第二传输层、阻挡层和透明导电层；透明导电层上位于绝缘区域的部分开设有绝缘开口；绝缘开口将第一传输层和第二传输层电隔离；绝缘区域内，绝缘开口的两侧均具有反光部件；反光部件中和绝缘开口交接处的交接轮廓，具有向绝缘开口内延伸的部分。本发明中，该反光部件以及该反光部件中向绝缘开口内延伸的部分，提供了更大的反射表面，进而提升了该背接触太阳能电池中背光面的光反射，提升了对太阳光的利用率，进而提升了该背接触太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118763139A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411239244.5
申请日：2024-09-05
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件，该太阳能电池中，硅基底具有第一表面及第二表面，第一表面与第二表面相对设置；在第一表面和第二表面中的至少一个表面设有第一传输层，第一传输层包括多晶硅层；第一传输层的多晶硅层具有第一传输层的非晶硅区域；第一传输层的非晶硅区域位于第一传输层的多晶硅层背离硅基底的至少部分表面；载流子收集层设置在第一传输层上，至少部分载流子收集层与第一传输层的非晶硅区域接触。由于非晶硅区域可以实现更合理的能带匹配，降低接触电阻，使得太阳能电池能够有效地将太阳光转换为电能，提高太阳能电池的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118645537A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410704949.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池以及光伏组件，太阳能电池中，硅基底的第一表面分别设有第一传输层和第二传输层，且第一传输层和第二传输层间隔设置；透明导电层设置在第一传输层背离硅基底的一面和第二传输层背离硅基底的一面；第一传输层和第二传输层之间的透明导电层设有多个绝缘开口，绝缘开口至少穿透透明导电层；多个绝缘开口沿第一传输层或第二传输层的延伸方向间隔布置，多个绝缘开口之间的多个连通区域将第一传输层和第二传输层连通。多个绝缘开口之间的连通区域形成第一传输层和第二传输层之间的多个漏电通道，多个漏电通道可以实现对漏电的漏电流大小进行调整，在不影响发电效率的情况下，实现防热斑效果。
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公开(公告)号：CN115939240A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211538525.1
申请日：2022-12-01
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，以在将背接触电池包括的N区和P区隔离开后防止对背接触电池造成损伤。所述背接触电池包括：半导体基底、透明导电层以及隔离保护结构。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。在每个隔离区域上形成有至少贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。隔离保护结构形成在隔离槽槽底的部分区域上。隔离保护结构的材料至少包括透明导电层的材料。
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公开(公告)号：CN118610282A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410713382.6
申请日：2024-06-03
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池以及光伏组件，所述太阳能电池包括硅基底、第一传输层和第二传输层，所述硅基底的第一表面分别设有所述第一传输层和所述第二传输层，所述第一传输层和所述第二传输层间隔设置；所述第一传输层设有刻蚀区域，所述刻蚀区域所处平面低于或平齐于所述第一传输层背离所述硅基底的平面；和/或，所述第二传输层设有刻蚀区域，所述刻蚀区域所处平面低于或平齐于所述第二传输层背离所述硅基底的平面；所述刻蚀区域具有颗粒物，该颗粒物可以增加正面透射光线的背面反射，进而提高太阳能电池的吸光效率。
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公开(公告)号：CN116404051A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310453244.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以在采用激光刻蚀工艺将背接触太阳能电池包括的N区和P区隔离开时，降低或消除激光能量对背接触太阳能电池造成损伤。该背接触太阳能电池包括：半导体基底、透明导电层和绝缘吸光层。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。每个隔离区域上开设有贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。绝缘吸光层至少位于隔离槽的底部，并且绝缘吸光层的宽度大于等于隔离槽的宽度。
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公开(公告)号：CN115985974A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310007785.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一耐碱钝化层；第一耐碱钝化层在第一表面上的投影位于绝缘隔离区内部；第一半导体层具有位于第一导电区上的第一部分，和与第一部分连续且位于第一耐碱钝化层上的第二部分；第二半导体层具有位于第二导电区上的第三部分，和与第三部分连续且位于第一耐碱钝化层上的第四部分；背接触太阳电池还包括位于硅基底第一表面侧的第二耐碱钝化层、位于第一耐碱钝化层上，从远离硅基底向靠近硅基底的开孔；开孔至少贯穿第四部分中的第二导电半导体层。本发明降低了漏电概率。
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