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公开(公告)号：CN119923038A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411917399.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10H20/814 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种高准直出光的Micro‑LED结构，属于半导体发光器件领域。器件结构从上到下依次为金属反射层、填充层、N型半导体、多量子阱、P型半导体、ITO电极、填充层、金属反射层。此器件结构设计可提高出射光的光强，提高器件出光准直度的同时筛选出光波段，使Micro‑LED出光色纯度更高、半峰宽更窄以及提高出射光束的利用率。利用金属镀膜来形成上下两层共焦谐振腔，提高Micro‑LED的出光性能，本发明进一步拓展了半导体可见光发光器件的应用范围。
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