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公开(公告)号：CN119580643A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411405253.7
申请日：2024-10-10
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G09G3/3225 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开了一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件，包括：多个发光单元，发光单元依次包括第一电极、发光功能层、第二电极；发光单元的第一电极和/或第二电极侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层上设置栅极调控电极；发光单元的第二电极接地，发光单元的第一电极与薄膜晶体管开关的漏极相连接，薄膜晶体管开关的源极连接数据引线，薄膜晶体管开关的栅极连接扫描引线，薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接，放大场效应晶体管的源极与调控电压源相连接，调控电压源用于向放大场效应晶体管的源极提供需求的电压，放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接。本发明可以在根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整，节约能源。
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公开(公告)号：CN119584822A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411405266.4
申请日：2024-10-10
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一半导体层统一制备第一有源层图案和第二有源层图案；在第一有源层图案和第二有源层图案上进行掺杂或镀膜，制备薄膜晶体管开关和放大场效应晶体管的源极和漏极；之后统一制备发光单元的栅极调控电极、电压源引出电极以及数据引线引出电极；接着制备二氧化硅绝缘层图案；在二氧化硅绝缘层图案上制备第二电极；在第二电极上制备发光功能层；最后统一制备第一电极、薄膜晶体管开关的栅极以及放大场效应晶体管的栅极。本发明提供了一种在进行统一栅压调控时，能够根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整的发光器件，并简化其制备工艺。
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公开(公告)号：CN118778260A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410868247.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G02B27/01
Abstract: 本发明公开了一种基于直视微纳显示屏阵列的仿生近眼显示系统，包括：仿生近眼显示系统包括：视力矫正光学镜片，视力矫正光学镜片上设置有透明微纳显示屏阵列，透明微纳显示屏阵列包括M个微纳显示屏，微纳显示屏的像素阵列为m×n；用于采集用户数据和环境数据的传感器模块；用于对微纳显示屏的光线进行光路调整的光学模块；用于供电的电源及光开关模块；用于控制驱动的驱动模块；用于调控微纳显示屏光线的光线调控模块。本发明通过多显示屏实现信息直显，深度、分辨率和刷新率可分区调节，视觉更健康的色彩融合，在提高近眼显示系统显示质量的同时减少能耗。
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公开(公告)号：CN119630180A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513923.7
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/16 , H10K50/15 , H10K50/115 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开一种双电流栅调控发光器件，涉及光电显示领域，包括：第一面栅极、第一电子传输层、第一面电极层、第二电子传输层、发光复合层、第二空穴传输层、第二面电极层、第一空穴传输层、第二面栅极；第一面栅极、第一面电极层施加第一偏置电源，第二面栅极、第二面电极层施加第二偏置电源；第一面电极层与第二面电极层之间被施加驱动信号用于驱动空穴‑电子在发光复合层复合并发光；第一配置电源、第二配置电源能够调控发光复合层内的电子空穴迁移量。本发明通过在传统发光器件两侧增加电流栅结构，能够有效解决发光复合层内应电子、空穴载流子迁移率的不平衡问题，有效提高电子‑空穴发光复合能效，同时，发光亮度与发光效率能够同效优化。
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公开(公告)号：CN119580636A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510032226.8
申请日：2025-01-09
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种基于单向截流电流栅调控发光器件的调控栅流确定方法，包括：在阳极和阴极之间施加第一灰阶值相对应的第一驱动信号，并向单向截流电流栅结构的第一调控电极施加第一栅极调控电流；持续改变第一栅极调控电流，并实时采集各个不同第一栅极调控电流对应的第一发光效率；响应于第一发光效率与标准发光效率相匹配，将对应的第一栅极调控电流确定为第一灰阶值的标准栅极调控电流；获得多个不同灰阶值对应的标准栅极调控电流；根据不同灰阶值及其对应的标准栅极调控电流之间的线性关系，获得第一函数关系；根据第一函数关系，获得发光器件的各个灰阶值对应的标准栅极调控电流。本发明可以快速确定不同灰阶值对应的标准栅极调控信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118382317A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410510141.1
申请日：2024-04-26
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/30 , H10K50/805 , H01L33/00 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开一种栅极调控无注入型发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：无注入型发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；无注入型发光单元依次包括：第一电极、绝缘层、量子点发光层、载流子传输/注入层、第二电极；栅极绝缘层设置于无注入型发光单元与栅极调控电极之间，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一交流电源，第一交流电源用于为无注入型发光单元提供电场使其发光，栅极调控电极相对于第一电极或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控无注入型发光单元内的载流子的迁移率而调整无注入型发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。
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公开(公告)号：CN118382315A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410510128.6
申请日：2024-04-26
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/30 , H10K50/805
Abstract: 一种栅极调控发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；发光单元依次包括：第一电极、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、第二电极；发光单元与栅极调控电极之间设置有栅极绝缘层，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一电源，第一电源用于为发光单元供电发光，栅极调控电极相对于第一电极和/或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控发光单元内的载流子的迁移率而调整发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。
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公开(公告)号：CN119855374A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510002912.0
申请日：2025-01-02
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/30 , H10K50/15
Abstract: 本发明公开一种单向截流电流栅调控发光器件，涉及光电显示领域，包括：阳极、第一空穴传输层、发光复合层、第一电子传输层、阴极；所述阳极与所述阴极之间构成第一回路并施加驱动信号，并向所述发光复合层注入电子、空穴而复合发光；所述器件还包括单向节流电流栅结构；所述单向节流电流栅结构设置于所述阴极与所述第一电子传输层之间或设置于所述第一空穴传输层与所述阳极之间；所述单向节流电流栅结构发光复合层而参与复合的电子复合量或空穴复合量，以调控所述器件的发光效率，能够有效提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN119724081A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510058957.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3233
Abstract: 本发明公开了一种基于单向截流电流栅调控发光器件驱动方法，包括：获取发光器件即将显示的第一预设帧数内的各个显示灰阶值；根据显示灰阶值，获得第一灰阶波动系数；判断第一灰阶波动系数是否小于标准灰阶波动系数，若是，则获得第一标准栅极调控电流，并向发光器件施加第一标准栅极调控电流；若否，则将第一预设帧数划分为多个连续子帧数，以使各个连续子帧数对应的第二灰阶波动系数小于标准灰阶波动系数且连续子帧数的数量达到最少；获得各个连续子帧数的第二标准栅极调控电流，并向发光器件施加对应的第二标准栅极调控电流。本发明可以减少高频环境下栅流调控次数避免单向截流电流栅结构异常，同时保证发光效率的调控效果。
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公开(公告)号：CN119630254A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513943.4
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K71/60 , H10K71/00 , H10K50/805 , H10K50/115
Abstract: 本发明公开了一种电流型栅极调控发光器件制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一导电层，对第一导电层进行光刻，分别形成第一电极和栅极调控电极；通过薄膜沉积在第一电极上覆盖第一载流子材料，形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上均匀涂覆量子点半导体纳米晶体，形成量子点发光层；通过薄膜沉积在量子点发光层和栅极调控电极覆盖第二载流子材料，分别在量子点发光层上形成第二载流子传输层和在栅极调控电极上形成第二载流子调控层；在第二载流子传输层和第二载流子调控层上镀膜第二导电层，对第二导电层进行光刻，形成第二电极，进而获得电流型栅极调控发光器件。本发明简化了栅极调控电极发光器件制备工艺，提高制备效率。
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