公开(公告)号：CN103531458A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310406295.8

申请日：2013-09-09

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 单少杰 ,  刘国军 ,  魏志鹏 ,  郝永芹 ,  冯源 ,  安宁 ,  周路 ,  陈芳 ,  罗扩郎 ,  张升云 ,  何斌太 ,  刘鹏程

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30617 ,  H01L21/308

Abstract: 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较大并且腐蚀表面粗糙度较低的刻蚀效果，从而有利于后续工艺的进行并且提高器件的整体性能。该方法首先使用H3PO4、H2O2、H2O溶液进行台面一次刻蚀，利用这种腐蚀液刻蚀纵宽比大的特点得到侧向腐蚀较小的台面，然后使用H3PO4、kmnO4、H2O腐蚀液对被腐蚀表面进行二次修饰，进一步降低腐蚀表面的粗糙度。该方法适用于GaAs材料或含有GaAs半导体材料的刻蚀。

公开(公告)号：CN103454703A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310413275.3

申请日：2013-09-12

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘国军 ,  单少杰 ,  郝永芹 ,  魏志鹏 ,  冯源 ,  李特 ,  安宁 ,  周路 ,  罗扩郎 ,  陈芳 ,  何斌太 ,  刘鹏程

IPC: G02B3/00 ,  H01S5/183

Abstract: 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜，使其构成复合腔结构，可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单，原料基本无毒，可控性较好。

公开(公告)号：CN102660775A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210120413.4

申请日：2012-04-24

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 陈芳 ,  李占国 ,  刘国军 ,  魏志鹏 ,  马晓辉 ,  徐莉 ,  周璐 ,  张晶 ,  李梅 ,  安宁 ,  王博 ,  张升云 ,  田珊珊 ,  高娴 ,  刘超 ,  单少杰 ,  孙鹏 ,  刘晓轩

IPC: C30B33/02 ,  C30B31/04 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。