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公开(公告)号：CN102916338B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201210380871.1
申请日：2012-10-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中只采用一次光刻，结合电子束蒸发和常规湿法腐蚀工艺，同时完成激光器条形结构刻蚀、选择性SiO2/TiO2薄膜蒸镀以及电绝缘层的制备。本发明适用于GaAs基半导体激光器，制作工艺简单，并能显著提高半导体激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN103531458A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310406295.8
申请日：2013-09-09
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30617 , H01L21/308
Abstract: 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较大并且腐蚀表面粗糙度较低的刻蚀效果，从而有利于后续工艺的进行并且提高器件的整体性能。该方法首先使用H3PO4、H2O2、H2O溶液进行台面一次刻蚀，利用这种腐蚀液刻蚀纵宽比大的特点得到侧向腐蚀较小的台面，然后使用H3PO4、kmnO4、H2O腐蚀液对被腐蚀表面进行二次修饰，进一步降低腐蚀表面的粗糙度。该方法适用于GaAs材料或含有GaAs半导体材料的刻蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103454703A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310413275.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜，使其构成复合腔结构，可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单，原料基本无毒，可控性较好。
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公开(公告)号：CN103311801A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310260512.7
申请日：2013-06-27
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中，采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态，随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层，形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。
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公开(公告)号：CN102916338A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210380871.1
申请日：2012-10-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中只采用一次光刻，结合电子束蒸发和常规湿法腐蚀工艺，同时完成激光器条形结构刻蚀、选择性SiO2/TiO2薄膜蒸镀以及电绝缘层的制备。本发明适用于GaAs基无铝半导体激光器，制作工艺简单，并能显著提高半导体激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN203606464U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320802753.5
申请日：2013-12-09
Applicant: 长春理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种高功率半导体激光器可靠性检测系统属于高功率半导体激光器可靠性检测装置领域，该系统包括驱动电源、测试盒、放大器、数据采集处理单元、参数提取单元、存储单元和打印及显示单元。该高功率半导体激光器可靠性检测系统精度高、性能可靠，体积小巧而且便于携带，能够便捷、高效地满足高功率半导体激光器在各种环境条件下的可靠性检测需求，此外，该可靠性检测系统还具有结构简单实用，操作方便，成本低廉，便于推广普及等优点。
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公开(公告)号：CN203606109U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320802774.7
申请日：2013-12-09
Applicant: 长春理工大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 高功率半导体激光器测试系统属于高功率半导体激光器测试装置领域，该系统包括噪声检测单元、单色仪、光功率计、LD驱动电源、制冷器、控制单元、制冷器驱动单元、RS232、PC机、温度控制器和温度采集单元；噪声检测单元、单色仪、光功率计、LD驱动电源、制冷器分别与高功率半导体激光器相连，控制单元分别与噪声检测单元、单色仪、光功率计、LD驱动电源、制冷器、RS232、制冷器驱动单元相连，制冷器驱动单元与制冷器相连，PC机分别与RS232、温度控制器相连，温度采集单元分别与高功率半导体激光器、温度控制器相连。本实用新型的测试系统由于采用温度控制器，所以能够在激光器工作时温度变化的情况下，实时准确测出激光器的噪声、光谱、光功率等性能指标。
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