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公开(公告)号：CN119677286A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411671510.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法。其结构由玻璃衬底、PEDOT:PSS导电聚合物层、Cs2CuBiI6薄膜层、PC61BM薄膜层、BCP层以及银电极构成。本发明所述技术方案采用简单的制备方法实现了非铅Cs2CuBiI6薄膜薄膜的制备，克服了传统钙钛矿结构在不稳定性和铅毒性上的缺点，并且制备得到光电探测器具有响应速度快等优异的光电探测性能，对钙钛矿光探测器简化工艺简单、环境友好、进而走向实用化具有非常重要的意义。
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