公开(公告)号：CN117914324A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311591340.1

申请日：2023-11-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  徐海迪 ,  郑仕纪 ,  李文涛 ,  戴佳洪 ,  蒲虹锐 ,  赵汝法 ,  刘挺 ,  黎淼 ,  杨虹

IPC: H03M3/00

Abstract: 本发明请求保护一种用于delta‑sigma调制器的离散型低功耗积分器，属于集成电路领域，包括第一反馈模块、第二反馈模块、积分放大器模块、信号输入模块，所述的积分器模块包含第一运放和第二运放，其输入端，分别与信号输入和第一、第二反馈模块相连。其第一、第二运放的输出也分别连接到积分器输出。后级量化器产生的结果对所述的第一反馈模块、第二反馈模块进行控制，其时钟输入CLK1,CLK2,CLK1S,CLK2S对信号输入模块和积分器模块进行控制。delta‑sigma ADC第一级积分器最为重要，其中运放要求最高，功耗最大。利用本发明的积分器可使整个调制器的功耗极大降低。

公开(公告)号：CN117335798A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311172914.1

申请日：2023-09-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赵汝法 ,  李文涛 ,  李相明 ,  童涛 ,  戴佳洪 ,  郑仕纪 ,  孙楷京 ,  唐青松 ,  徐海迪 ,  刘挺

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/38

Abstract: 本发明请求保护一种基于反双曲正弦函数的流水线ADC变步长LMS校准系统，包括待校准的高速Pipeline ADC模块，低速系统时钟模块，低速高精度Sigma‑Delta ADC，可变步长的自适应滤波器，数字降频器和减法器。在传统LMS算法的基础上，引入反双曲正弦函数arcsinh x，改进的步长因子更新方式,根据误差的平方和输入信号的平方差异来更新步长因子E(n)。据此，建立步长与输入信号以及误差的数学模型为μ(n)＝ρ·arcsinh(β·E(n))，根据误差信号大小实时更新步长，在每次更新滤波器权值时，都会保存最小误差和对应的滤波器权值和输出结果。这样可以在算法运行结束后，得到最优的滤波器权值和相应的输出结果。该算法具有校准精度高，收敛速度快等优点。

公开(公告)号：CN117176158A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311104507.7

申请日：2023-08-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  郑仕纪 ,  徐海迪 ,  李文涛 ,  戴佳洪 ,  罗燕燕 ,  张馨云 ,  秦志阳 ,  刘挺 ,  赵汝法

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明请求保护一种基于双曲正切导数的流水线ADC增程式变步长LMS校准系统，包括待校准ADC，低速高精度ADC，降频器，LMS自适应滤波器和减法器。在传统LMS算法的基础上，引入双曲正切一阶导数函数1/coshx2，通过建立步长与误差的非线性关系，u(n)＝α(1‑1/(β*cosh(|e(n)|))γ)，根据误差信号大小实时更新步长的大小，并以此来提高算法的收敛速度，提高精确度。待校准ADC的输出端与变步长LMS自适应滤波器的输入端相连，输出通过降频器降频后与减法器的一个输入端相连，减法器的另一个输入与低速高精度ADC的输出端相连接，输出端与滤波器的控制端相连，然后重复上面的步骤，使得待校准的流水线ADC的输出逐渐逼近低速高精度ADC的输出。本算法具有校准精度高，收敛速度快等优点。

公开(公告)号：CN116667665A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310766465.7

申请日：2023-06-26

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 童涛 ,  赵汝法 ,  张宇洋 ,  吴亮波 ,  戴佳洪 ,  夏旭 ,  吴浩 ,  李文涛 ,  徐海迪 ,  郑仕纪

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明请求保护用于开关电源的自举电容内置及百分百占空比控制电路，主要包括环路控制核心电路、最小时间关断电路、非交叠时钟、100％占空比控制电路、电平移位电路、振荡器、自举电路、RS触发器、两输入或门。其中环路控制核心电路是保证未进入100％占空比模式时，DC‑DC环路的正常工作；最小关断时间电路是保证自举电容CBOOT1有足够的电荷来让电路的下一个周期正常的运行；100％占空比控制电路是根据环路控制核心电路输出电压VS和最小关断时间电路VTOFF来判断是否进入100％占空比模式。电平移位电路是将高端管H_side MOS的栅极电压提高，保证高端管H_side MOS能够正常工作；非交叠时钟是防止高端管H_side MOS和低端管L_side MOS同时导通，造成损耗。