公开(公告)号：CN117525129B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202311650492.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  黄义 ,  王书恒 ,  池天宇 ,  严宏宇 ,  吴艳君

IPC: H10D30/47 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaN HEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。

公开(公告)号：CN117525129A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311650492.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  黄义 ,  王书恒 ,  池天宇 ,  严宏宇 ,  吴艳君

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaN HEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。

公开(公告)号：CN117133805A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311340326.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王书恒 ,  高升

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种混合漏极增强型GaN高电子迁移率晶体管，属于半导体技术领域。该晶体管包括金属源极、金属栅极、P‑AlGaN区、漏极场板、肖特基漏极、欧姆漏极、AlGaN势垒层、GaN缓冲层、衬底层。本发明引入的p型掺杂AlGaN区实现了器件的增强型；本发明引入的肖特基/欧姆接触混合漏极，能改善纯欧姆漏极的接触特性，使其与AlGaN势垒层接触表面变得较为平整，能够改善漏端的电场分布；本发明引入的漏极场板还具有金属场板的作用，能分散漏端集中的电场，进一步提高器件的耐压。

公开(公告)号：CN116072714A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211584624.3

申请日：2022-12-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  黄义 ,  张红升 ,  王书恒

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种集成式栅电极结构的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域。该方法在栅介质层上通过设计版图结构以及电子束蒸发角度，采用单步电极制备工艺便实现了双金属栅和栅电极为一体的集成式栅电极结构，并完成HEMT器件的制备；具体包括：定义栅极及栅场板光刻窗口，利用电子束蒸发，采用向左蒸发的角度沉积第一步栅金属，利用电子束蒸发，再采用垂直蒸发的角度沉积第二步栅金属和栅场板，以形成集成式栅电极结构。本发明能进一步有效调制栅漏有源区的电场，削弱势垒层表面的电子俘获并加速了被俘获的电子的及时释放，最终提升器件的耐压和动态性能。