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公开(公告)号：CN116190458B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310177029.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层(1)、重掺杂第二导电类型多晶硅层(2)、栅氧化层(3)、重掺杂第二导电类型阳极区域(4)、轻掺杂第一导电类型漂移区(5)、重掺杂第一导电类型衬底层(6)；本发明在肖特基接触超势垒整流器(SSBR)基础上进行改进，改善了器件的正向特性，相较于SSBR整流器，本发明的正向阈值电压更低。
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公开(公告)号：CN117790568A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738372.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供一种具有组合沟道的鳍型场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分远离侧壁一端中；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层和第一导电层的第一部分上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分并与侧壁接触；栅金属层覆盖栅氧介质层；钝化层覆盖栅金属层；第二导电层设置于凸出部顶端；源极金属层设置于第二导电层上且通过钝化层与第一导电层、栅氧介质层、栅金属层分隔。
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公开(公告)号：CN117352558A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407858.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。
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公开(公告)号：CN117352541A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311407846.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种注入增强型快速薄顶层硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：衬底层；基区，设置于衬底层上；漂移区，相邻基区设置于衬底层上；缓冲区，相邻漂移区设置于衬底层上；高阻区，相邻缓冲区设置于衬底层上；发射区，设置于基区背离衬底层的一侧；栅极区，设置于基区上；集电区，设置于缓冲区背离衬底层的一侧，集电区与高阻区接触。非平衡电子从发射区向集电区方向运动，并以直接导通的方式通过缓冲区和高阻区而被集电区收集，相较于IE‑LIGBT，本发明的电流拖尾现象基本得到消除，提高了关断速度，减小了关断损耗。
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公开(公告)号：CN116960189A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404042A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310262897.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域(8)、轻掺杂第一导电类型漂移区(9)、重掺杂第一导电类型衬底层(10)、漏极金属层(11)；本发明改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。
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公开(公告)号：CN108122963B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711400517.X
申请日：2017-12-22
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管，包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区，其特征在于：所述SOI衬底包括埋氧层、衬底层和顶硅层。所述埋氧层覆盖于衬底层之上。所述顶硅层位于埋氧层之上。一种电势控制快速横向绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶硅层中形成。所述漂移区贴附于埋氧层的上方，所述漂移区由N基区构成。所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧。所述栅极区贴附于阴极区上方。
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公开(公告)号：CN110610996A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910712748.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种沟槽肖特基整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区和上电极区。本发明可以获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。
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公开(公告)号：CN116845112B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN119270966A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411178736.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种OCL‑LDO电路，包括带隙基准单元、超级源随器、偏置电路、功率晶体管MP、误差放大器、翻转电压跟随器、频率补偿单元和高通网络；本发明引入了一种独特的无输出电容低压差(OCL‑LDO)稳压器，其核心在于一个内嵌超级源随器(SSF)和高通网络的具有推挽能力的翻转电压跟随器(FVF)。这一结构巧妙地融合了带有高通网络的超级源随器(SSF)，内嵌于翻转电压跟随器(FVF)，从而实现了对瞬态响应的显著提升。
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