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公开(公告)号:CN103093810A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201310013602.6
申请日:2013-01-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: G11C7/1072 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0054 , G11C2013/0076
Abstract: 一种电阻式存储器装置,包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据,并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作,使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态,并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。
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公开(公告)号:CN103093810B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201310013602.6
申请日:2013-01-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: G11C7/1072 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0054 , G11C2013/0076
Abstract: 一种电阻式存储器装置,包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据,并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作,使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态,并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。
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