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公开(公告)号：CN105245270B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510604389.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B7/185
Abstract: 种小型化星载8mm频段发射通道,采用基于MCM(多芯片集成)技术的射频通道,将多芯片集成在个模块内,射频通道在模块正反面立体布局,通过射频绝缘子垂直互联技术连接正反面的射频电路以获得较小的产品体积,提出的功放芯片装配工艺,消除了功放管壳与机壳间的接触热阻,减少了由此带来的功放芯片散热问题,提出的新型微波模块材料解决星载高可靠模块封装问题,适用于批量生产,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105024126B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510350394.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明提供了一种垂直型同轴‑微带转换电路，该电路在微带线互连端侧面增加射频侧地，该射频侧地与同轴线和微带线的地连通。从微波电路阻抗匹配的角度而言：该引入的射频侧地与同轴线内导体延伸部分和互连金带构成空气微带，将原同轴线内导体延伸部分和互连金带的高阻感抗转变为了微带低阻，易于满足同轴与微带传输线的宽带匹配，降低了转换电路的回波损耗，减小了失配；从电磁波传播角度而言：该引入的射频地实现了“TEM‑准TEM‑准TEM”的连续渐变传播，相对于现有的转换电路的“TEM‑感抗辐射‑准TEM”传播方式，本发明的转换电路消除了感抗带来的辐射损耗。本发明具体工艺实施采用导电胶涂覆方式引入射频地，实现方法简单、可靠，产品一致性好。
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公开(公告)号：CN107785640A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710843365.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P3/18
Abstract: 一种基于单层微波介质的超宽带微带垂直过渡，该垂直过渡基于单层介质基板，采用上下两层金属层，每层均包括50欧姆微带线、非线性过渡耦合线、地平面、矩形地枝节和金属化接地孔；50欧姆微带线通过非线性过渡耦合线过渡到地平面，矩形地枝节从地平面延伸而出，位于非线性过渡耦合线的两侧，矩形地枝节上设置有金属化接地孔和另一层的矩形地枝节或者地平面相连接。该垂直过渡基于单层微波介质基板采用了微带准TEM模过渡到微带耦合结构再过渡到准TEM模的办法，只需要中心对称的上下两层微带结构，工艺实现简单；使用频率高，可用于Ka频段及毫米波频段；工作带宽很宽，相对带宽接近1.5倍倍频程。
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公开(公告)号：CN117375723A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311188408.1
申请日：2023-09-14
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B10/556 , H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种高本振杂散抑制的宽带微波光子混频芯片，由激光器、两个相位调制器和一个微环、一个合路器、一个光电探测器构成，激光器与第一相位调制器输入相连、第一相位调制器输出与微环相连，微环下载端与第二相位调制器相连，微环直通端的输出与第二相位调制器输出一同输入到合路器进行合路，合路后信号输入到光电探测器中实现光电转换。射频信号和本振信号依次加载到两个相位调制器上，此时本振信号为相位调制，中频信号为强度调制，在光探测器进行强度检测后，只有中频信号被保留下来，本振杂散可以被高度抑制。该芯片结构简单，且无需偏压控制，具有易于实施、稳定性好、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN116722352A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310619570.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相控阵天线子阵，包括对外接口层、波束形成网络层、幅相多功能层、低噪放功放层和天线层，天线层、低噪放功放层设置在第一金属基PCB板上，幅相多功能层、低噪放功放层和天线层设置在第二金属基PCB板上，第一金属基PCB板的底层与第二金属基PCB板的顶层连接在一起，实现对外接口层、波束形成网络层、幅相多功能层、低噪放功放层和天线层整体封装；第一金属基PCB板、第二金属基PCB板均设置有多个接地导热通孔。本发明能够实现相控阵天线轻、小、薄的同时还具有较优的散热效果，并且有很好的可扩展性，可以进行单元数目扩展还可以进行频段扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785640B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710843365.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P3/18
Abstract: 一种基于单层微波介质的超宽带微带垂直过渡，该垂直过渡基于单层介质基板，采用上下两层金属层，每层均包括50欧姆微带线、非线性过渡耦合线、地平面、矩形地枝节和金属化接地孔；50欧姆微带线通过非线性过渡耦合线过渡到地平面，矩形地枝节从地平面延伸而出，位于非线性过渡耦合线的两侧，矩形地枝节上设置有金属化接地孔和另一层的矩形地枝节或者地平面相连接。该垂直过渡基于单层微波介质基板采用了微带准TEM模过渡到微带耦合结构再过渡到准TEM模的办法，只需要中心对称的上下两层微带结构，工艺实现简单；使用频率高，可用于Ka频段及毫米波频段；工作带宽很宽，相对带宽接近1.5倍倍频程。
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公开(公告)号：CN119010822A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410973817.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03H7/01
Abstract: 一种基于GaAs工艺的UHF/VHF频段宽带90度电桥芯片电路，端口一与平面耦合螺旋变压器T1的初级线圈一端S1相连，另一端S2与电容C1、C3和电感L2的一端相连，电容C1的另一端接地，电感L2的另一端与电容C2、C4和平面耦合螺旋变压器T2的初级线圈一端S2相连，电容C2的另一端接地，T2初级线圈的另一端S1与端口二相连；T1次级线圈一端S1’与端口三相连，另一端S2’与电容C3的另一端、电容C5和电感L3的一端相连，电容C5的另一端接地，电感L3的另一端与电容C4的另一端、电容C6的一端和T2次级线圈的一端S2’相连，电容C6的另一端接地，T2次级线圈的另一端S1’与端口四相连。本发明能够在较宽的工作频带内实现幅度相等、相位差为90度的功率合成或分配。
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公开(公告)号：CN105024126A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510350394.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明提供了一种垂直型同轴-微带转换电路，该电路在微带线互连端侧面增加射频侧地，该射频侧地与同轴线和微带线的地连通。从微波电路阻抗匹配的角度而言：该引入的射频侧地与同轴线内导体延伸部分和互连金带构成空气微带，将原同轴线内导体延伸部分和互连金带的高阻感抗转变为了微带低阻，易于满足同轴与微带传输线的宽带匹配，降低了转换电路的回波损耗，减小了失配；从电磁波传播角度而言：该引入的射频地实现了“TEM-准TEM-准TEM”的连续渐变传播，相对于现有的转换电路的“TEM-感抗辐射-准TEM”传播方式，本发明的转换电路消除了感抗带来的辐射损耗。本发明具体工艺实施采用导电胶涂覆方式引入射频地，实现方法简单、可靠，产品一致性好。
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公开(公告)号：CN119363041A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411153090.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种具有低杂散输出的混频器电路，包括：中频巴伦、射频巴伦、二极管混频核、射频匹配网络、本振匹配网络和滤波匹配网络；中频信号从所述中频巴伦的非平衡端口输入，经中频巴伦转换为一对中频差分信号后，与二极管混频核的一对端点C和D相连；本振信号经过本振匹配网络后，馈入二极管混频核的另一对端点A和B；本振信号和中频信号混频后的射频信号从二极管混频核的一对端点A和B取出后，分别经过串联电容C2和C3后接入射频巴伦，通过射频巴伦将一对射频差分信号转换为单端信号，最后射频信号经过射频匹配网络后输出。本发明改善了接收机杂散抑制性能，降低射频链路的设计难度。
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公开(公告)号：CN105245270A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510604389.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B7/185
CPC classification number: H04B7/185
Abstract: 一种小型化星载8mm频段发射通道，采用基于MCM(多芯片集成)技术的射频通道，将多芯片集成在一个模块内，射频通道在模块正反面立体布局，通过射频绝缘子垂直互联技术连接正反面的射频电路以获得较小的产品体积，提出的功放芯片装配工艺，消除了功放管壳与机壳间的接触热阻，减少了由此带来的功放芯片散热问题，提出的新型微波模块材料解决星载高可靠模块封装问题，适用于批量生产，具有广阔的应用前景。
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